С 5 по 9 октября 2026 года в Москве прошла XVII Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-2026). В научном форуме, состоявшемся в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН), приняли участие более 270 человек. В мероприятии приняли участие исследователи из Академического университета, работающие над созданием и изучением полупроводниковых гетероструктур, нитевидных нанокристаллов, нанолазеров и других перспективных материалов и устройств.
Российская конференция по физике полупроводников посвящена фундаментальным и прикладным проблемам современной физики и технологии полупроводников. Конференция прошла в очном формате с возможностью дистанционного подключения к трансляциям докладов.
Основные тематические направления включали объемные полупроводники и новые материалы, низкоразмерные системы, физику поверхности, фотонику и спинтронику. Отдельное внимание уделялось полупроводниковым приборам и сенсорам.
За пять дней участники представили три пленарных, 27 приглашенных, 106 устных и 208 стендовых докладов. Для гостей также организовали экскурсии по лабораториям ФИАН и в музей «Атом» на ВДНХ.
Исследования ученых Академического университета
Устные доклады
Валерия Лендяшова, научный сотрудник лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий, представила доклад «Светоизлучающие гетероструктуры на основе квантовых точек InAs на темплейтах GaAs/Si(100)». Работа посвящена созданию светоизлучающих структур на основе квантовых точек арсенида индия на кремниевых подложках.
Исследование выполнено совместно с В. Г. Талалаевым, Д. А. Кириленко, А. А. Калиничевым, Т. Шугабаевым, В. А. Поздеевым, А. С. Андреевой, Р. Р. Резником, Г. Э. Цырлиным и И. В. Илькивым.
Александр Корякин, сотрудник лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий, выступил с докладом «Механизмы фасетирования при селективном росте колончатых микрокристаллов GaN». Исследование посвящено особенностям формирования граней микрокристаллов нитрида галлия при их выращивании.
Соавторы работы — Ш. Ш. Шарофидинов, В. О. Гридчин, Л. Н. Дворецкая, К. П. Котляр и И. В. Штром.
Владислав Гридчин, старший научный сотрудник лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий, представил доклад «Синтез и свойства нитевидных нанокристаллов GaN на темплейтах GaN/AlN/Si(111) для создания нанолазеров». Работа посвящена выращиванию и исследованию нанокристаллов нитрида галлия, перспективных для создания компактных лазерных источников.
Соавторы — Т. Шугабаев, А. М. Даутов, А. А. Калиничев, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, В. А. Шаров, В. В. Лендяшова и Г. Э. Цырлин.
Владислав Шаров представил доклад «Измерение электролюминесценции одиночных непланарных наноструктур», посвященный исследованию светоизлучающих свойств отдельных наноструктур при электрическом возбуждении.
Работа выполнена совместно с Т. М. Шугабаевым, В. В. Лендяшовой, К. Н. Новиковой, И. С. Мухиным, Г. Э. Цырлиным и В. О. Гридчиным.
Стендовые доклады
Родион Резник, сотрудник лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий, представил стендовый доклад «Формирование золотых капель в упорядоченных отверстиях в слое SiOx на поверхности кремния для последующего селективного синтеза III-V нитевидных нанокристаллов». Исследование направлено на разработку методов контролируемого выращивания полупроводниковых нанокристаллов.
Соавторы — А. С. Андреева, А. М. Даутов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, F. Panciera, В. Г. Дубровский и Г. Э. Цырлин.
Артем Баранов, сотрудник лаборатории возобновляемых источников энергии, представил два стендовых доклада.
Первый — «Роль теплопроводности подложки в кристаллизации тонких аморфных пленок Ge₂Sb₂Te₅ векторным лазерным пучком» — посвящен влиянию свойств подложки на кристаллизацию тонких пленок под действием лазерного излучения.
Вторая работа — «Исследование пассивирующих свойств различных оксидов (Al₂O₃, Ga₂O₃, TiO₂, MoO) на развитой поверхности кремния» — посвящена изучению оксидных покрытий, применяемых для обработки поверхности кремниевых структур.
Альберт Даутов, аспирант и сотрудник лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий, представил работу «Синтез и свойства III-N наноструктур на ван-дер-ваальсовых слоях h-BN». Исследование посвящено формированию полупроводниковых наноструктур на основе нитридов элементов III группы с использованием гексагонального нитрида бора.
Соавторы — П. А. Алексеев, М. Е. Попов, К. П. Котляр, В. В. Лендяшова, И. А. Мельниченко, Т. Шугабаев, В. Г. Дубровский и В. О. Гридчин.
Теоретическая физика и новые материалы
Сергей Тарасенко, заведующий кафедрой теоретической физики СПбАУ, выступил с докладом «Эффекты взаимодействия структурированного света с полупроводниками». Он также председательствовал на сессии «2D и 1D системы, гетероструктуры, сверхрешетки 5».
Михаил Глазов, заведующий кафедрой физики конденсированного состояния СПбАУ, ученый секретарь программного комитета конференции, выступил председателем мемориальной сессии памяти Роберта Арнольдовича Суриса.
Кроме того, Михаил представил две стендовые работы:
- «Экситонный изолятор в гетероструктурах на основе дихалькогенидов переходных металлов»;
- «Терагерцовые переходы в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах».
Обе работы посвящены физическим явлениям в низкоразмерных материалах и гетероструктурах.
Научные направления университета
Участие исследователей в РКФП-2026 продемонстрировало разнообразие научных задач, которыми занимаются в Академическом университете: от разработки методов выращивания нанокристаллов и создания гетероструктур до изучения оптических свойств полупроводников и перспективных материалов. Конференция стала площадкой для представления результатов исследований, обсуждения актуальных задач физики полупроводников и обмена опытом между научными коллективами!
