Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук - единственное в России федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки, один из ведущих научно-образовательных центров России.
Создан в 1999 году как научно-образовательный центр Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук "для интеграции науки и образования в области физики и информационных технологий".
Миссия университета – опережающее формирование исследовательских компетенций в рамках модели образования в интересах сохранения и устойчивого развития научно-технического потенциала Санкт-Петербурга и России в целом.
В университете на основе идей Ж. И. Алферова выстроена система непрерывного образования «от школьной скамьи до Академии наук», связывающая все ступени обучения общего, среднего и высшего образования, дополнительного профессионального образования для подготовки исследователей для научных центров и индустрии высокотехнологичного сектора экономики Российской Федерации, обеспечивающая реализацию образовательной траектории «физмат школы – университет – аспирантура и лаборатории ведущих научных центров».
Ключевые научные направления СПбАУ РАН им. Ж. И. Алферова соответствуют соответствуют приоритетным направлениям научно-технологического развития Российской Федерации, в их числе: физика полупроводников, полупроводниковая фотоника и оптоэлектроника (эпитаксиальные технологии и наногетероструктуры, в том числе в гибком исполнении; сверхкомпактные полупроводниковые источники света, в том числе с однофотонной статистикой излучения, полупроводниковые волноводные интегральные схемы); нанобиотехнологии и микрофлюидные технологии (клеточный инжиниринг и разработка лекарственных систем, лаборатория на чипе, сенсорика, аналитическое приборостроение).
Развитие научной школы академика Ж. И. Алферова по физике полупроводников и нанотехнологиям включает направления научных исследований в области развития материальной базы микроэлектроники и оптоэлектроники.
В области создания полупроводниковых наногетероструктур Алферовский университет занимает лидирующие позиции на фронтире мировой науки. За последние несколько лет разработаны и активно исследуются новые А3В5 полупроводниковые материалы для лазерных гетероструктур, солнечных элементов, фотоприемников и фотодетекторов различных спектральных диапазонов (от УФ до ИК), светодиодных структур, в том числе в гибком исполнении. Ведутся работы по развитию микрофлюидики и «лабораторий-на-чипе» (в том числе «органов-на-чипе»), созданию твердотельных нанопоровых мембран для исследования одиночных белков и биологических объектов, разработке биосенсоров и электродных интерфейсов к биологическим объектам, созданию новых лекарственных препаратов. Отдельные направления исследований связано с приборостроением, в частности разрабатывается оборудование для проведения безмасковой лазерной литографии, а также многоканальные контроллеры давлений жидкости.
