Впервые в России созданы диоды для систем ночного видения и газовых анализаторов
Команда исследователей из Алферовского университета (Санкт-Петербург) совместно с АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД» разработала фотодиоды ближнего ИК-диапазона, способные детектировать излучение до 2,65 мкм. Это почти в два раза превосходит возможности существующих отечественных аналогов и открывает новые горизонты для высокотехнологичных отраслей.
Что это за разработка?
Фотодиоды на основе арсенида индия-галлия (InGaAs) — ключевой элемент для приборов, работающих в инфракрасном спектре. Учёные усовершенствовали состав полупроводника, увеличив долю индия в кристаллах. Это позволило расширить диапазон чувствительности до среднего ИК-диапазона (граница 2,65 мкм), сохранив при этом совместимость с действующими производственными процессами.
«Рост содержания индия в кристаллах InGaAs — сложная задача из-за высокой плотности дефектов. Нам удалось преодолеть это благодаря уникальному оборудованию для выращивания полупроводников и тесному сотрудничеству с промышленными партнёрами»
Зачем это нужно?
1. Системы ночного видения нового поколения
Фотодиоды повысят детализацию изображений в условиях плохой видимости (облачность, туман, высокая влажность), комбинируя данные от видимого света и теплового излучения.
2. Экологический мониторинг
Сенсоры на базе новых диодов смогут точно измерять концентрацию парниковых газов (метан, CO₂), что критично для контроля выбросов и климатических исследований.
«Расширенный диапазон чувствительности — это прорыв для создания компактных и чувствительных газоанализаторов. Это особенно важно для экологических задач»
Кто участвовал в разработке?
- Алферовский университет — теоретические исследования и выращивание кристаллов.
- АО «ОКБ-Планета» (Великий Новгород) — интеграция технологии в готовые устройства.
- ООО «Иоффе-ЛЕД» (Санкт-Петербург) — оптимизация производственных процессов.
Проект поддержан Российским научным фондом и Фондом содействия инновациям. Получен патент № RU 235230 U1.
Почему это важно для университета?
Данная разработка подтверждает лидерство Алферовского университета в области нанотехнологий и оптоэлектроники. Учёные уверены, что их решение быстро выйдет на рынок, составив конкуренцию зарубежным аналогам, и станет основой для новых проектов.
Для студентов
1. Как присоединиться к исследованиям?
Студенты Алферовского университета имеют уникальную возможность участвовать в передовых исследованиях в области оптоэлектроники и нанотехнологий, теоретический физике и биотехнологий, физике космоса. Вот несколько способов начать:
Работа в научных группах — наши лаборатории и лаборатории партнёров открыты для студентов 3-4 курсов бакалавриата и магистрантов (Можно и раньше). Познакомьтесь с научными руководителями на еженедельных семинарах по науке. Проходите специализированные курсы — например освойте технологии молекулярно-пучковой эпитаксии.
2. Наши достижения — ваши возможности
Разработка фотодиодов — лишь один изпримеров того, как фундаментальная наука превращается в практические решения. Наши выпускники работают в ведущих российских и международных компаниях в научной и производственной сферах.
3. С чего начать?
Поступайте в Алфёровский университет!
Итог:
Этот успех — результат сочетания фундаментальной науки и прикладных исследований. Мы продолжаем традиции Жореса Алфёрова, доказывая, что Российская наука способна создавать технологии мирового уровня!
