Кукушкин Сергей Арсеньевич

Кукушкин Сергей Арсеньевич

Профессор, кафедра физики конденсированного состояния

Преподаваемые дисциплины:

Фазовые переходы (лекции), гр. 501, 503

Ученая степень

Доктор физико-математических наук

Ученое звание

Профессор

  • Общие данные
  • Проекты (5)
Научная и педагогическая деятельность
  • С 1983 по 1990, ассистент,  старший преподаватель, доцент Ленинградского Технологического института им. Ленсовета. 
  •  Председатель государственной экзаменационной комиссии физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета физического факультета2006-2013гг. 
  •  Профессор Санкт-Петербургского Научно-образовательного Академического университета- Научно образовательный центр нанотехнологий РАН (НОЦ РАН) с 2010 по настоящее время.
  • Разработал в 2010 году новый курс лекций "Фазовые переходы", который читает в НОЦ РАН в настоящее время.
  •  Председатель совета основной образовательной 
  • программы магистратуры «Фундаментальные и прикладные аспекты наноматериалов и нанотехнологий» Санкт-Петербургского государственного университета с 2018 г. по настоящее время. 
  • Профессор кафедры  факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники ИТМО.
  •  Вед.н.сотрудник подразделения “Международная научная лаборатория физики эпитаксиальных наноструктур” ИТМО
     
Стипендии и гранты
  • 1997 год - Соросовский профессор;
  • Лауреат премии Президиума РАН им. П.А. Ребиндера за 2010 год; 
  • Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского научного центра РАН в номинации физика и астрономия им. А.Ф. Иоффе за 2014 год "за выдающиеся научные результаты в области науки и техники"; 
  • Лауреат премии правительства Санкт-Петербурга в сфере науки и высшего профессионального образования в номинации "Лучшая научно-инновационная идея" за 2010 год; 
  • Научный руководитель гранта и участник инновационного центра ''Сколково'' (регистрационный номер № 1110023)2010-2011гг.  
  • В 2016 году присвоено почетное звание «Заслуженный деятель науки Российской Федерации».

Гранты:

  • Научный руководитель проекта гранта фонда "Сколково", регистрационный номер № 23 от 15 июля 2011 г. ООО "Новые кремневые технологии НКТ)" Регистрационный номер участника фонда "Сколково" № 111-00-23.Срок выполнения гранта: 2011-2013гг.Успешно выполнен. 
  • Руководитель РФФИ гранта № 13 -02-12040-офи-м;срок:2013 -2015.
  • Руководитель РФФИ гранта № 16-29-03149-офи-м;срок:2016 -2018.
  • Руководитель РНФ гранта № 14 12-01102; 2014-2016
  • Руководитель РНФ продолжающегося гранта № 14 12-01102; 2017-2018.
  • Руководитель выигранной темы в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 24 "Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов";срок:2013-2014гг. 
  • Руководитель выигранной темы в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 11 "Фундаментальные проблемы механики и смежных наук в изучении многомасштабных процессов в природе и технике" 2013-2014гг. 
  • Руководитель выигранной темы в программе  фундаментальных исследований отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН (ОЭММПУ РАН))"Многоуровневое исследование свойств и поведения перспективных материалов для современных узлов трения";срок:2013-2014гг. 
  • Руководитель выигранной темы в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 1 "Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1«НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ"; срок:2016-2018гг.
     
Образование

Высшее образование, Ленинградский Технологический институт им. Ленсовета, факультет Химия и технология сорбентов, год окончания 1977, Инженер-химик-технолог Диплом Б-1 №348783

Ученая степень - доктор физико-математических наук, присуждена 03.04.1992

Ученое звание - профессор, присвоено 19.07.1996
 

Данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке (при наличии)

прошел обучение в федеральном государственном бюджетном учреждении высшего образования и накуи "СПбАУ РАН" по программе Организация учебного образовательного пространства обучающихся с использованием инструментов и средств информационно-коммуникационных технологий в объеме 16 часов с 17 декабря 2018 года по 21 декабря 2018 года

Область научных интересов

Фазовые переходы, эпитаксия, разрушение, тонкие пленки, трещины, прочность материалов, наноструктуры, фазовые равновесия, поверхность, теория нуклеции и роста пленок, химия твердого тела. 

1. РФФИ 13-02-12040 офи_м Физика и технология создания подложек монокристалллического карбида кремния на кремнии для роста приборно-ориентированных гетероструктур III-нитридов
Участники
Кукушкин Сергей Арсеньевич (Р) Осипов Андрей Викторович Бессолов Василий Николаевич Феоктистов Николай Александрович Редьков Алексей Викторович Гращенко Александр Сергеевич Кандаков Андрей Вениаминович Жуков Сергей Германович Лаврова Татьяна Васильевна Телятник Родион Сергеевич
Годы работы
2013-2015
2. РФФИ 15-03-06155 А Механизмы синтеза пленки монокристаллического карбида кремния на кремнии методом замещения атомов
Участники
Осипов Андрей Викторович (Р) Телятник Родион Сергеевич Жуков Сергей Германович Лаврова Татьяна Васильевна Гращенко Александр Сергеевич Редьков Алексей Викторович Кандаков Андрей Вениаминович Кукушкин Сергей Арсеньевич Бессолов Василий Николаевич Феоктистов Николай Александрович
Годы работы
2015-2017
3. РФФИ 16-29-03149 офи_м Широкозонные полупроводниковые материалы для силовой электроники, формируемые на кремнии с буферным слоем нано-SiC.
Участники
Кукушкин С.А. (Р), Осипов А.В., Цырлин Г.Э., Мизеров А.М., Шарофидинов Ш.Ш., Телятник Р.С., Тимошнев С.Н., Редьков А.В., Гращенко А.С., Резник Р.Р.
Годы работы
2016-2018
4. РНФ 14-12-01102 Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников
Участники
Кукушкин С.А. (Р) Редьков А.В. Осипов А.В. Кандаков А.В. Бенеманская Г.В. Рубец В.П. Жуков С.Г. Рожавская М.М. Бессолов В.Н. Коненкова Е.В. Антипов В.В. Лапушкин М.Н. Уголков В.Л. Дементьев П.А. Телятник Р.С. Гращенко А.С. Феоктистов Н.А. Тимошнев С.Н. Лаврова Т.В. Цацульников А.Ф.
Годы работы
2014-2016
5. РНФ 14-12-01102 Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников
Участники
Кукушкин Сергей Арсеньевич (Р) Осипов Андрей Викторович Редьков Алексей Викторович Гращенко Александр Сергеевич Телятник Родион Сергеевич Феоктистов Николай Александрович Бенеманская Галина Вадимовна Антипов Владимир Викторович Тимошнев Сергей Николаевич Корякин Александр Александрович Мизеров Андрей Михайлович
Годы работы
2916-2018