Об университете

Кукушкин Сергей Арсеньевич

Кукушкин Сергей Арсеньевич

Профессор, кафедра физики конденсированного состояния

Преподаваемые дисциплины:

Фазовые переходы (лекции), гр. 501, 503

Ученая степень

Доктор физико-математических наук

Ученое звание

Профессор

  • Общие данные
  • Публикации (19)
Научная и педагогическая деятельность
  • С 1983 по 1990, ассистент,  старший преподаватель, доцент Ленинградского Технологического института им. Ленсовета. 
  • Председатель государственной экзаменационной комиссии физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета физического факультета2006-2013гг. 
  • Профессор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета им. Ж.И. Алферова Российской академии наук с 2010 по настоящее время.
  • Разработал в 2010 году новый курс лекций "Фазовые переходы", который читает в СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова в настоящее время.
  • Председатель совета основной образовательной программы магистратуры «Фундаментальные и прикладные аспекты наноматериалов и нанотехнологий» Санкт-Петербургского государственного университета с 2018 г. по настоящее время. 
  • Профессор кафедры  факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники ИТМО.
  • Ведущий научный сотрудник подразделения “Международная научная лаборатория физики эпитаксиальных наноструктур” ИТМО

Членство в редколлегиях журналов:

  1. Известия Российской академии наук. Механика твердого тела.
  2. Materials Physics and Mechanics (http://mpm.spbstu.ru/).
  3. J. Materials MDPI  (https://www.mdpi.com/journal/materials/editors#editorialboard).
  4. Журнал Физика Твёрдого тела.  ФТИ им. А. Ф. Иоффе

Число научных публикаций elibrary - 568,  число статей, входящих в ядро РИНЦ - 481, число патентов- 26.

Стипендии и гранты
  • 1997 год - Соросовский профессор;
  • Лауреат премии Президиума РАН им. П.А. Ребиндера за 2010 г. За цикл работ:” Химическая самосборка кристаллической поверхности: новый метод направленной нуклеации эпитаксиальных пленок”; 
  • Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского научного центра РАН в номинации физика и астрономия им. А.Ф. Иоффе за 2014 г. «За цикл фундаментальных работ и создание технологии по выращиванию бездефектных пленок карбида кремния, открывающих уникальные возможности для использования нанопленок в микро-, нано- и оптоэлектронике»; 
  • Заслуженный деятель науки РФ. Указ Президента России от 4 июля 2016 г.
  • Стипендия Минпромторга за значительный вклад в создание новой прорывной технологии и разработку современных образцов ВВСТ, за 2017 год.; 
  • Награжден медалью «300 ЛЕТ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК» 8 февраля 2024 г.

Гранты:

  • Научный руководитель проекта гранта фонда "Сколково", регистрационный номер № 23 от 15 июля 2011 г. ООО "Новые кремневые технологии НКТ)" Регистрационный номер участника фонда "Сколково" № 111-00-23.Срок выполнения гранта: 2011-2013гг. Успешно выполнен. 
  • Руководитель РФФИ гранта № 13 -02-12040-офи-м;срок:2013 -2015 гг.
  • Руководитель РФФИ гранта № 16-29-03149-офи-м;срок:2016 -2018 гг.
  • Руководитель РНФ гранта № 14 12-01102; 2014-2016 гг.
  • Руководитель РНФ продолжающегося гранта № 14 12-01102; 2017-2018 гг.
  • Руководитель выигранной темы в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 24 "Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов";срок:2013-2014 гг. 
  • Руководитель выигранной темы в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 11 "Фундаментальные проблемы механики и смежных наук в изучении многомасштабных процессов в природе и технике" 2013-2014 гг. 
  • Руководитель выигранной темы в программе  фундаментальных исследований отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН (ОЭММПУ РАН))"Многоуровневое исследование свойств и поведения перспективных материалов для современных узлов трения";срок:2013-2014 гг. 
  • Руководитель выигранной темы в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 1 "Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1«НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ"; срок: 2016-2018 гг.
     
Образование
  • Инженер химик-технолог – 1977 – Ленинградский Технологический институт им. Ленсовета, кафедра химии твердых веществ. 
  • Кандидат физико-математических наук, по специальности физика твердого тела. Защита: Харьковский политехнический институт 16 ноября 1982 г. Утверждение, июль 1983 г.  Диплом КД № 003488.
  • Доктор физико-математических наук. Защита: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе 21 ноября 1991 г. «Физика твердого тела - 01-04-07» Номер ДТ № 013561 выдан 3 апреля 1992 года
  • Профессор по специальности «Физика твердого тела» Аттестат № 00693  от 12 июня 1996 г.
Данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке (при наличии)

прошел обучение в федеральном государственном бюджетном учреждении высшего образования и накуи "СПбАУ РАН" по программе Организация учебного образовательного пространства обучающихся с использованием инструментов и средств информационно-коммуникационных технологий в объеме 16 часов с 17 декабря 2018 года по 21 декабря 2018 года

Область научных интересов
  • термодинамики и кинетики фазовых переходов первого рода;
  • теории зарождения и роста новой фазы на поверхности твёрдых тел;
  • нано и-микромеханики начальных стадий разрушения твердых тел;
  • теории фазовых переходов и теория переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках;
  • теории роста нитевидных нано- кристаллов (вискеров);
  • теории роста и зарождение квантовых точек;
  • физики и механики поверхности;
  • фазовых переходов первого рода в деформируемых телах;
  • исследований образования и роста наноструктур и тонких пленок;
  • механохимии;
  • исследований роста и образования эпитаксиальных пленок шикрокозонных полупроводников, в частности, исследований роста пленок карбида кремния, плёнок нитридов алюминия галлия, индия и их твёрдых растворов.
С.А. Кукушкин, В.В. Слезов
Дисперсные системы на поверхности твёрдых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). СПб: Изд. Наука, 1996.- 304с.
S.A. Kukushkin and A.V Osipov
New phase formation on solid surfaces and thin film condensation (Review)// Prog. Surf. Sci. 151 (1) (1996) 1-107. doi: 10.1016/0079-6816(96)82931-5.
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов
Термодинамика и кинетика фазовых переходов первого рода на поверхности твёрдых тел (Об з о р)//Химическая физика, Т.15, № 9, С.5-104, 1996.
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов
Процессы конденсации тонких плёнок (Об з о р)// Успехи физических наук, 1998, Т 168. № 10, С.1083-1116.Перейти к публикации
S.A. Kukushkin and A.V. Osipov
Nucleation kinetics of nano-films. Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology. Edited H.S. Nalwa, USA 2004, V. 8, pp.113-136, ISBN 1-58883-001.
S.A. Kukushkin and A.V. Osipov
Nucleation and growth kinetics of nanofilms. The book Nucleation theory and applications, Edited by J.W.P. Schmelzer, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim 2005, pp. 215-253.
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов
Фазовые переходы и зарождение каталитических наноструктур под действием химических, физических и механических факторов (Обзор)//Кинетика и Катализ, т.49, № 1, стр. 85-98, (2008). Перейти к публикации
Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Medvedev B.K., Nevolin V.K., Tcarik K.A.
Substrates for epitaxy of gallium nitride: new materials and techniques (Review)// Review of Advanced Materials Science. 2008, V.17, №1/2, 31-62. Перейти к публикации
S.A. Kukushkin, and A.V. Osipov
heory of Phase Trans-formations in the Mechanics of Solids and Its Applications for Description of Fracture, Formation of Nanostructures and Thin Semiconductor Films Growth. (A Review) //Key Engineering Materials. (2012), 528, 145-164. Перейти к публикации
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов
Химическая самосборка монокристаллической пленки SiC на кремниевой подложке: новый метод направленной нуклеации (Обзор)// Росс. Хим. Журнал, (2013), т. 57, № 6, с.36-47. Перейти к публикации
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов
Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния (Об з о р) // Физика твёрдого тела. Т. 56, (2014), вып. 8, с. 1457-1485.Перейти к публикации
S.A. Kukushkin and A.V. Osipov
Topical Review. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films (Review)// J. of Phys. D: Appl. Phys. 47, 313001-313041 (2014). Перейти к публикации
V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov and S.N. Rodin
Semipolar gallium nitride on silicon: Technology and Properties (Review)//Rev.Adv.Mater. Sci. 38, pp. 75-93, (2014).Перейти к публикации
S.A. Kukushkin and A.V. Osipov
Nanoscale Single-Crystal Silicon Carbide on Silicon and Unique Properties of This Material (Review)// Inorganic Materials, 57(13), 1319–1329 (2021).Перейти к публикации
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов
Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов (Обзор)// Журнал общей химии. Т. 92, № 4, с. 547–577 (2022). Перейти к публикации
Sergey Kukushkin, Andrey Osipov, and Alexey Redkov
SiC/Si as a New Platform for Growth of Wide-Bandgap Semiconductors. // Chapter 18 in book “Advanced Structured Materials”. P. 335-367 (2022). Volume 164 “Mechanics and Control of Solids and Structures”. Editors: Vladimir A. Polyanskiy and Alexander K. Belyaev. Springer. ISBN 978-3-030-93075-2 ISBN 978-3-030-93076-9 (eBook)Перейти к публикации
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов
Термодинамика, кинетика и технология синтеза эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов и его уникальные свойства. (Обзор) // Конденсированные среды и межфазные границы, (2022). Т. 24, вып. 4. – С. 407–458. Перейти к публикации
Perova T.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V.
Raman Microscopy and Imaging of Semiconductor Films Grown on SiC Hybrid Substrate Fabricated by the Method of Coordinated Substitution of Atoms on Silicon // Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices / ed. Z.C. Feng. – Boca Raton: CRC Press, 2022. – P. 327–372. E-Book ISBN9780429198540Перейти к публикации
А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов
Наноиндентирование гибридных кристаллов нано-SiC/Si и тонких пленок AlN, AlGaN, GaN, Ga2O3 на нано-SiC/Si // Известия РАН, Механика деформируемого твёрдого тела. 2024, Vol. 59, No. 2, pp. 1–30.Перейти к публикации