Молодые участники XVI Российской конференции по физике полупроводников

11 октября 2024, 07:35

Мы продолжаем серию интервью с молодыми учеными с XVI Российской конференции по физике полупроводников.

---

Интервью с Fan Xiangyi

— Добрый вечер, представьтесь, пожалуйста.

— Меня зовут Фань Сянъи, я из города Таонань (Китай), учусь в университете ИТМО.

— О чем ваше исследование?

— В нашей работе представлены результаты экспериментального исследования и моделирования методом Монте-Карло процесса генерации терагерцевого излучения гетероструктурными PIN-диодами арсенида алюминия-галлия при возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами. В ходе работы мы выяснили, что анализ механизмов формирования фототока и генерации ТГц импульса в PIN-диоде, проведенный методом ансамблевого Монте-Карло, позволяет объяснить немонотонное поведение положения максимума амплитуды ТГц импульса от обратного смещения как результат изменения механизмов, ответственных за релаксацию фототока. Сверхбыстрое уменьшение электрического поля в i-слое за счет эффекта экранирования, происходящее за субпикосекундные времена, приводит к увеличению порогового значения обратного смещения, при котором происходят междолинные переходы фотоэлектронов из Г-долины в L-долину. В отсутствие междолинных переходов динамика релаксации импульса фототока определяется экранированием электрического поля за счет пространственного разделения фотовозбужденных электронов и дырок.

— Как Вам конференция?

— Мне очень нравится конференция, и вообще находиться здесь. Я рада, что у меня есть возможность работать со своими менторами и представлять проект перед таким большим количеством заинтересованных наукой людей.

— Спасибо большое!

---

Интервью с Марией Смирновой

— Здравствуйте! Представьтесь, пожалуйста.

— Меня зовут Смирнова Мария, я из Ярославского государственного университета им. Павла Григорьевича Демидова.

— Расскажите о Вашем исследовании: о чем оно, каковы его цели?

— Целью нашего доклада было определение факторов, инициирующих развитие периодического рельефа на поверхности кремния при ионной бомбардировке галлием. Исходно у нас были подложки монокристаллического кремния, и, в зависимости от условий облучения, мы наблюдаем либо волнообразные периодические структуры, либо террасированные. В частности, при угле падения пучка 30 градусов, у нас наблюдаются волны, которые покрывают сразу всё дно кратера распыления, а при углах падения пучка от 40 до 70 градусов, мы наблюдаем террасы. Важной особенностью является то, что эти террасы не сразу покрывают всё дно, а рельеф распространяется по границе стенки и дна с увеличением дозы. И мы обнаружили, в чем же причина формирования одного или другого типа рельефа. В первом случае на это влияют преципитаты галлия, которые формируются в результате ионной имплантации. То есть, на глубине порядка проективного пробега у нас формируются нерастворенные шарики галлия, и при выходе на поверхность этого слоя, за счет разницы коэффициентов распыления, формируются волны. Что касается террас - при углах падения больше 40 градусов на границе фронтальной стенки и дна формируется небольшая ямка. В теории распыления Зигмунда говорится, что скорость распыления лунки и холма отличаются друг от друга. Именно этот фактор инициирует формирование другого типа рельефа.

— Как Вам в целом конференция, какие впечатления?

— Конференция очень интересная, много познавательных докладов. Познакомилась с ребятами из других городов, обмениваемся опытом и контактами для возможной совместной деятельности в будущем.

— Большое спасибо!

---

Интервью брали студенты Алфёровского университета — Ксения Солдаткина и София Шумилова
Фото — Фёдор Егоров