Новости

Используйте ссылки ниже для перехода к интересующим подразделам.

АЛФЕРОВСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ – УЧАСТНИК ФОРУМА «ОТКРЫТЫЕ ИННОВАЦИИ»

15 ноября 2020, 14:57

В рамках деловой программы Минобрнауки России на Форуме «Открытые инновации» (Сколково, 19-21 октября 2020 года) Алфёровский университет провел семинар «Современные технологии создания полупроводниковых приборов: перспективы приборного применения наноструктур в информационных технологиях». По ссылке доступна видеозапись семинара.

Название форума отсылает к опубликованной в 2003 году одноименной книге профессора калифорнийского UC Berkeley Генри Чесбро (Henry Chesbrough). Автор сформулировал концепцию развития технологий, противопоставив обособленным лабораториям больших корпораций («закрытым инновациям»), модель сетевого и открытого взаимодействия многих участников инновационной экосистемы – средних и малых частных компаний, государственных структур, университетов и институтов, технологических предпринимателей и пр.

На семинаре технический директор ООО «Коннектор Оптикс» и проректор по науке Алфёровского университета Антон Юрьевич Егоров представил результаты работ по созданию эпитаксиальных структур для вертикально-излучающих и квантово-каскадных лазеров, работающих в телекоммуникационном диапазоне частот. Испытания подтверждают соответствие структур и приборов на их основе передовому мировому уровню.

Заведующий Лабораторией эпитаксиальных наноструктур Георгий Эрнстович Цырлин рассказал о первом полностью российском квантово-каскадном лазере, работающем в терагерцовом диапазоне. Идея создания квантово-каскадных лазеров была высказана в начале 1970-х годов Р.Ф. Казариновым и Р.А. Сурисом, и в России идея впервые была реализована при определяющем участии сотрудников нашего университета. Темой второй части выступления Г.Э. Цырлина стали применяющиеся в криптографии источники одиночных фотонов на основе нитевидных нанокристаллов. 

Два доклада дают хорошее представление о прикладных применениях технологии молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), об уровне оснащенности лабораторий и о высокой квалификации наших сотрудников. Не раз подчеркивалось, что в гермозоне Алфёровского университета работают шесть установок МПЭ, в том числе установка полупромышленного типа Riber 49.

Доклад руководителя Департамента физики Высшей школы экономики в Санкт-Петербурге и профессора нашего университета Алексея Евгеньевича Жукова был посвящён микродисковым лазерам, которые благодаря простоте, малым размерам и низкой себестоимости формируют новый класс излучателей для эффективной передачи данных на малые расстояния внутри устройств, например, между процессором и памятью компьютера.

Основатель нескольких наукоёмких стартап-компаний, директор VI Systems GmbH (Берлин, Германия) Николай Николаевич Леденцов в своём выступлении сделал интересное отступление от общей направленности докладов семинара. Николай Николаевич рассказал о системах поддержки инноваций в США, Европе, Китае и России. Современные подходы можно сравнить с опытом «Общества содействия успехам опытных наук и их практических применений имени Х.С. Леденцова», которое успешно развивалось в начале XX века и создавало полностью контролируемую учёными грантовую систему. Например, дальновидный Совет Общества в 1911 году поддержал исследования радиоактивных парод академиком Вернадскими «ввиду того, что нахождение в стране радия открывает ей могущественный источник механической силы, а вместе с тем ее промышленного развития».

Далее, участник нескольких совместных с Алфёровским университетом проектов Мария Владимировна Чернышева из французского Université Paris-Saclay представила результаты исследований светоизлучающих структур для гибких мониторов, очков дополненной реальности и других применений. Отдельно были представлены миниатюрные пьезоэлементы, которые служат источниками питания для «носимой» электроники.

Представитель многолетнего партнера нашего университета компании Riber SA Ромэн Брудер (Romain Bruder) рассказал о направлениях развития рынка эпитаксиальных технологий в ближайшее десятилетие. Можно подчеркнуть, что сейчас эпитаксиальные структуры GaAsGaN и InP востребованы в устройствах для развертывания сети мобильной связи 5G, и это будет определять рост спроса на технологию МПЭ в будущем.