Гудовских Александр Сергеевич

Гудовских Александр Сергеевич

Должность:

Ведущий научный сотрудник

Ученая степень

доктор технических наук (специальность 05.27.01 – твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)

Дата и место рождения:

14.03.1976, Ленинград

Адрес:каб.420(СЛК)
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

2002 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина): ассистент
2002-2006 г. походил научную стажировку (Postdoc) в Электротехнической лаборатории Парижа (Laboratoire de Génie Electrique de Paris CNRS) во Франции.
2006-настоящее время Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): последовательно в должностях: старшего научного сотрудника, ведущего научного сотрудника
2010 - настоящее время (по совместительству) Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина): последовательно в должностях: ассистент, доцент, профессор
 

Стипендии и гранты

1999 г.: Лаурят стипендии фонда Леонарда Эйлера DAAD
2000  г.: Стипендия правительства РФ
2007 г.: Лаурят конкурса «Энергия молодости» фонда «Глобальная энергия» 
Победитель конкурса грантов Президента РФ в 2007 г. и 2009 г.
Премия Правительства Санкт-Петербурга победителям конкурса грантов молодых кандидатов наук 2008 и 2010 года
2015 г.: Премия Правительства Санкт-Петербурга в области научно-педагогической деятельности
 

Участие в конференциях

2018 г : устный доклад «Interface properties of GaP/Si heterojunction fabricated by PE-ALD» на E-MRS Spring Meeting 2018, Strasburg, France
2017 г : приглашенный доклад «Low Temperature Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of GaP Films on Si Substrates» на  27th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS) Seoul, Korea
2016 г : устный доклад «Multijunction a-Si:H/c-Si solar cells with vertically-aligned architecture based on silicon nanowires» на 13th International Conference on Nanosciences & Nanotechnologies (NN16), Thessaloniki, Greece
2013 г : приглашенный доклад «Солнечные элементы на основе гетероперехода a-Si:H/c-Si»
Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики, Санкт-Петербург
2011 г : приглашенный доклад « Heterointerfaces properties of triplejunction GaInP/GaAs/Ge solar cells » на Next Generation Solar Energy – From Fundamentals to Applications (organized by Bayern Innovativ Ltd), Erlangen, Germany


 

Образование

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), факультет электронной техники, кафедра микроэлектроники.
Диплом (с отличием)
АВМ № 0032211 от 30.06.1999.
Направление «Техническая физика»
Квалификация: магистр физики

Послевузовское профессиональное образование

2002 г. кандидатская диссертация «Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения»; дис. совет Д 212.238.04  при СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков.
Диплом КТ № 084782 от 15.12.2002.

2014 г : докторская диссертация«Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения»; дис. совет Д 212.238.04  при СПбГЭТУ «ЛЭТИ» д.т.н., научная специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Диплом ДНД № 000990 от 18.05.2015

Данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке (при наличии)

2015 г: повышение квалификации по доп. проф. программе «Противодействие коррупции» удостоверение  782401614666 от 27.10.2015
2015 г: повышение квалификации по доп. проф. программе «Английский язык для академических целей» удостоверение  782402760247 от 18.12.2015
2016 г: повышение квалификации по доп. проф. программе «Английский язык профессиональной деятельности преподавателя» удостоверение  782402760924 от 14.06.2016

 

Область научных интересов

Полупроводниковые гетероструктуры, солнечные элементы, границы раздела, тонкопленочные технологии