Федоров Владимир Викторович

2008-2016 гг. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН: последовательно в должностях старший лаборанта, мл. научного сотрудника, научного сотрудника. лаб. Оптической спектроскопии (лаб. С.П.Феофилова) и лаб. Физики ферроиков (лаб. А.К.Таганцева)
2016 – по настоящее время. Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН в должности старшего научного сотрудника.
 

Руководитель проекта Российского научного фонда (РНФ) «Проведение инициативных исследований молодыми учеными»,
проект № 18-72-00219 “ Процессы формирования эпитаксиальных наноструктур GaP на структурированных подложках Si”

Руководитель проекта Российского Фонда Фундаментальных Исследований (РФФИ), проект № 16-32-00809 мол_а.
“Эффекты магнитной близости в эпитаксиальных гетероструктурах ферромагнетик / ферримагнетик на основе переходных металлов (Co, Ni), феррит-гранатов (Y3Fe5O12) и оксидов железа (Fe2O3), перспективных для новых устройств спинтроники.”

26th and 24th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology"
The 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy
The 13th International Surface X-ray and Neutron Scattering Conference.
The Joint European Magnetic Symposia (JEMS)

 

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, кафедра физики твердого тела. Диплом MA №03183 2011 г.
Специализация: Фотоэлектроника (Новые материалы и нанотехнологии) 010600.68
Квалификация: магистр прикладных математики и физики
 

2015 г: кандидатская диссертация «Изучение процессов роста, структуры и магнитных свойств эпитаксиальных гетероструктур на основе фторидов (CaF2; MnF2) и металлов (Co; Ni)»; дис. совет Д 002.205.01 при ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния.
Диплом ВАК КНД №017926 от 26.02.2016.
 

Эпитаксиальные функциональные наногетероструктуры для задач для оптоэлектронники и фотовольтаики:
- Процессы эпитаксиального роста планарных и наноразмерных гетероструктур.
- Селективный эпитаксиальный рост.
- Исследование влияния структуры, морфологии и взаимодействий на границах раздела на электронную структуру, оптические и магнитные свойства.
- Методы диагностики структурных и магнитных свойств с использованием синхротронных источников рентгеновского излучения
- Метаморфические и псевдоморфные полупроводниковые гетероструктуры А3Б5 на кремнии на основе азотсодержащих твердых растворов Ga(In)P(NAs)
- Эпитаксиальные нитевидные нанокристаллы (ННК) на основе фосфидов и нитридов элементов III группы на кремнии.
- Эпитаксиальные гетероструктуры на основе оксидов (феррит-гранаты, оксиды железа), выращенных методом импульсного лазерного осаждения.