Большаков Алексей Дмитриевич

Большаков Алексей Дмитриевич

Должность:

Старший научный сотрудник

Ученая степень

кандидат физико-математических наук (специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния)

Дата и место рождения:

08.12.1985, Ленинград

Телефон:+7(921)948-03-84
Мобильный:+7(921)948-03-84
Адрес:каб.505(СЛК)
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

2010 г. – наст. Время
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования и науки Санкт-Петербургский Академический Университет - научно образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук (Академический Университет),
с 2017 года – старший научный сотрудник, лаборатория возобновляемых источников энергии,
с 2018 года – ведение курса лекций и лабораторных работ «молекулярно-пучковая эпитаксия»
с 2014 года - научный сотрудник,
до 2014 года - младший научный сотрудник, лаборатория физики наноструктур - теоретическое моделирование роста полупроводниковых наноструктур, в частности нитевидных нанокристаллов и гетероструктур на их основе
 

Стипендии и гранты

2014-2016: стипендия Президента РФ
2016-2017: грант для молодых ученых РФФИ
2018: грант Президента РФ,
грант РНФ, премия комитета по науке и высшей школе Правительства СПб
 

Участие в конференциях

XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 «Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires»
3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (Saint Petersburg OPEN 2016)
28–30 March 2016, St Petersburg, Russia «Study of electrical properties of single GaN nanowires grown by molecular beam epitaxy»
International Conference on Nanophotonics and Metamaterials METANANO-2016 «Synthesis and study of GaN nanowires and nanotubes on Si»
19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy EUROMBE 2017 «Growth of one-dimensional GaN nanostructures
 on Si substrate using AlN buffer»
International Conference on Nanophotonics and Metamaterials METANANO-2017 «Ga seeding layer stimulated formation of epitaxial GaN tripod-nanoislands on silicon»
 

Образование

2009г.: магистр техники и технологии, Санкт-Петербургский Академический университет. Диплом (с отличием)

Послевузовское профессиональное образование

2013 г: кандидатская диссертация «Теоретические модели режимов роста и морфологии полупроводниковых нитевидных нанокристаллов»; дис. совет при Санкт-Петербургском Академическом университете,
к.ф.-м.н.
 

Данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке (при наличии)

2012г. - Работа в Университете г. Дарем, Великобретания, в рамках реализации международного проекта 7ой рамочной программы ЕС

Область научных интересов

эпитаксиальный синтез полупроводниковых наноструктур, в частности, нитевидных нанокристаллов и гетероструктур на их основе и исследование их свойств