Баранов Артем Игоревич

Баранов Артем Игоревич

Должность:

младший научный сотрудник

Ученая степень

PhD

Дата и место рождения:

31.08.1990, Ленинград

Телефон:5069
Мобильный:5069
Адрес:каб.415(СЛК)
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

2012-настоящее время: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): последовательно в должностях: лаборанта, младшего научного сотрудника.

Стипендии и гранты

2014-2018: стипендия Французского Правительства для аспирантов для написания кандидатской диссертации под совместным российско-французским руководством.
2018: грант КНВШ Санкт-Петербурга для молодых ученых.
 

Участие в конференциях

E-MRS Spring Meeting 2018, Strasburg, France, 18-22 June 2018 (стендовый)
Saint-Petersburg OPEN 2018 St Petersburg, Russia, April 2–5, 2018 (стендовый)
E-MRS Spring Meeting 2017, Strasburg, France, 22-26 May 2017 (устный)
Les Journées Nationales du Photovoltaïque, Dourdan, France, 29 November- 02 December 2016 (устный)
E-MRS Spring Meeting 2014, Lille, France, 26-30 May 2014 (стендовый)


 

Образование

Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет, факультет физико-технический. Диплом Р № 57560 от 12.07.2011.
Специальность: техническая физика
Квалификация: бакалавр
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет, кафедра физики. Диплом № 107805 0020513 от 20.06.2013.
Специальность: электроника и микроэлектроника
Квалификация: магистр

Послевузовское профессиональное образование

2018 г: Защита степени PhD во Франции в University Paris-Saclay, тема диссертации: «Multi-junction solar cells from monolithic integration of dilute nitrides on GaAs and Si wafers: defect studies».

Область научных интересов

солнечные элементы, гетероструктуры, тонкие пленки, III-V на Si.