Наука
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Veeco GENIII
![Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Veeco GENIII](/assets/components/phpthumbof/cache/ustanovka-molekulyarno-puchkovoj-epitaksii-veeco-geniii.bc0ade4e96532b27ccfadb2ce233d018.jpg)
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии предназначена для синтеза планарных слоев и структур пониженной размерности из полупроводниковых соединений А3В5. Установка укомплектована источниками материалов 3-ой группы Ga, In, Al, 5-ой группы As, P, N, а также легирующими примесями Si и Be. В вакуумной камере установки встроены система дифракции быстрых электронов на отражение, а также квадрупольный масс-спектрометр.
![](/assets/theme/images/au-logo-full.png)