Наука
Установка плазмохимического осаждения Oxford Plasmalabsystem 100 PECVD Oxford instruments
![Установка плазмохимического осаждения Oxford Plasmalabsystem 100 PECVD Oxford instruments](/assets/components/phpthumbof/cache/ustanovka-plazmoximicheskogo-osazhdeniya-oxford-plasmalabsystem-100-pecvd-oxford-instruments.bc0ade4e96532b27ccfadb2ce233d018.jpg)
Установка предназначена для травления полупроводниковых и диэлектрических слоев. Установка плазмохимического травления с индуктивно связанной плазмой позволяет обеспечивать высокие скорости травления с низким уровнем радиационных дефектов. Установка имеет восемь газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Установка снабжена загрузочным шлюзом. Вакуумная камера откачивается высокопроизводительным турбомолекулярным насосом.
Установка предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H). Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Нагрев подложек до температуры 400°С. Установка снабжена загрузочным шлюзом.
Год выпуска: 2010.
![](/assets/theme/images/au-logo-full.png)