Установка плазмохимического осаждения Oxford Plasmalabsystem 100 PECVD Oxford instruments

Установка предназначена для травления полупроводниковых и диэлектрических слоев. Установка плазмохимического травления с индуктивно связанной плазмой позволяет обеспечивать высокие скорости травления с низким уровнем радиационных дефектов. Установка имеет восемь газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Установка снабжена загрузочным шлюзом. Вакуумная камера откачивается высокопроизводительным турбомолекулярным насосом.
Установка предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H). Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Нагрев подложек до температуры 400°С. Установка снабжена загрузочным шлюзом.
Год выпуска: 2010.