Установка исследования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов на базе автоматизированного быстродействующего монохроматора с высоким оптическим разрешением (0,01 нм

Установка исследования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов на базе автоматизированного быстродействующего монохроматора с высоким оптическим разрешением (0,01 нм

Установка предназначена детектирования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов (в том числе полупроводниковых наногетероструктур на основе III-V соединений) в спектральном диапазоне 185 нм-1700нм с высоким спектральным разрешением (0,008 нм) и пространственным разрешением до (1 мкм). Температура исследуемых образцов контролируется в диапазоне от 77 до 450 K.
Измерения проводятся при оптической накачке образцов YAG:Nd лазером мощностью до 500мВт с длинной волны излучения 527 нм или электрической накачки в непрерывном режиме. Для детектирования сигнала в ближнем инфракрасном диапазоне используется многоканальный InGaAs детектор. Для детектирования сигнала в видимом диапазоне используется одноканальный Si детектор, при этом излучение накачки модулируется с помощью прерывателя оптического луча.
В стенде задействовано следующее основное оборудование:
– монохроматор "HORIBA" FHR1000;
– синхронный детектор "Stanford Research Systems";
– лазер DTL-413 (527 нм);
– InGaAs ПЗС-матрица "HORIBA" "Symphony";
– кремниевый одноканальный детектор "Teledyne Judson Technologies".
– прерыватель оптического луча "Thorlabs"
- источник питания Keithley 2280S
- комплект объективов (х10, х50, х100)
- комплект оптических фильтров и стекл
- поляризаторы и призмы Глана