Надточий Алексей Михайлович

2005-по настоящее время Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН: последовательно в должностях стажера-исследователя, мл. научного сотрудника (совместитель).
2009-настоящее время Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): научный сотрудник
 

2009, Премия для молодых ученых ФТИ «за лучшую научную работу»

А.М. Надточий, Е.С. Шаталина, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, "Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs"

SPIE Photonics West 2017, 28.01-02.02.2017, Сан-Франциско, США
CLEO 2012, 06.05-11.05.2012, Сан-Хосе, США
Nanostrucutres: Physics and Technology 2015, 22.06-26.06.2015, С-Петербург
 

2005 г. - Закончил с отличием факультет оптико-информационных систем и технологий (кафедра - оптико-электронные приборы и системы) Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики (НИУ ИТМО)
оптоэлектроники. Диплом 
ВСА № 0140931 от 13.01.2005
Специальность: оптико-электронные приборы и системы
Квалификация: инженер
 

2008 г: окончил аспирантуру ФТИ им. А.Ф. Иоффе 
15.11.2011 г: кандидатская диссертация «Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором»; дис. совет Д002.205.02 при ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.
Присвоена степень к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.10 – физика полупроводников.
Диплом ДКН № 16.3259 (приказ №459/НК от 23.07.2012).
 

физика полупроводников;
квантоворазмерные структуры;
полупроводниковые лазеры;
микрорезонаторы;
солнечные элементы.