Максимов Михаил Викторович

 1992-2014 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН: последовательно в должностях стажера-исследователя, мл. научного сотрудника, научного сотрудника, ст. научного сотрудника, ведущего научного сотрудника
2005-настоящее время Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): в должности ведущего научного сотрудника (с 2015 основное место работы)
 

В 2000 г. был награжден исследовательской стипендией им. А. фон Гумбольдта, а также глав-ной премией МАИК (Международная академическая издательская компания) «Наука/Интерпериодика».
В 2001г.  был удостоен награды за лучшую статью в журнале JEEE Journal of Quantum Electronics.
В 2015г. за выдающийся вклад в развитие науки в области физики и активную инновационную деятельность  был награжден премией Scopus Award Russia 2015 в  номинации с Фондом «Сколково»
 

M.V. Maximov et. al.,  Edge-emitting and microdisk lasers based on hybrid quantum-well-dot structures, 18th International Conference on Laser Optics, 4-8 June, 2018  St.Petersburg, Russia
M.V.Maximov et. al.,  High characteristic temperature of InAs/GaAs/InGaAsP quantum dot laser on InP substrate, Proc. 9th Russian-French Workshop on Nanosciences and Nanotechnologies, October 3-7, 2017, Suzdal, Russia
М.В. Максимов и др., Торцевые и микродисковые лазеры на основе InGaAs/AlGaAs гибридных структур квантовая яма-квантовые точки, 4-й Всероссийский симпозиум с международным участием «Полупроводниковые лазеры: Физика и технология», Санкт-Петербург, 10-13.11.2014
M.V. Maximov et. al.,  Two micrometer diameter quantum dot microdisk and microring lasers, 22nd International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 23-27, 2014
 

Ленинградский Политехнический институт им. М.И.Калинина, кафедра квантовой электроники. Диплом ПВ № 113803 от 27.02. 1989 г.
Специальность: радиофизика и электроника
Квалификация: инженер-радиофизик
 

1995 г: кандидатская диссертация «Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур в системах А5В5и А3Б6, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
 дис. совет К 003.23.01 при ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков.
Диплом КТ № 016974 от 18.12.1995.

2009 г: докторская диссертация «Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов»; дис. совет Д 002.205.02  при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
д.ф.-м.н., научная специальность 01.04.10 – физика полупроводников.
Диплом ДДН № 012364 от 22.01.2010.

Полупроводниковые лазеры и фотоэлектрические преобразователи, самоорганизующиеся квантовые точки, приборы на основе микрорезонаторов, лазеры со сверхмалой расходимостью излучения