Крыжановская Наталья Владимировна

Крыжановская Наталья Владимировна

Должность:

Старший научный сотрудник

Ученая степень

Кандидат физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников)

Адрес:Хлопина, д.8, корпус 3, лит. А,каб.436 (СЛК)
  • Общие данные
  • Проекты (2)
Научная и педагогическая деятельность

 2000 г. –2005г.  Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН: в должности стажера-исследователя.
2005 г. - настоящее время  Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): последовательно в должностях младшего научного сотрудника, затем в должности научного сотрудника и старшего научного сотрудника.
 
 

Участие в конференциях

•18th International Conference on Laser Optics (ICLO, Saint Petersburg, Russia, 2018)

•24th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Saint Petersburg, Russia, June 27-July 1, 2016

•International Symposium on Optoelectronic Technology and Application (OTA 2016), Beijing, China, May 9-11, 2016

Образование

Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина). Диплом (с отличием)
ДВС № 0456315 от 31.01.2002.
Специальность: электронные приборы и устройства
Квалификация: инженер

Послевузовское профессиональное образование

2005 г: кандидатская диссертация «Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs»; дис. совет К 003.23.01 при ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков.
Диплом КТ № 177484 от 14.04.2006.

Область научных интересов

Полупроводниковые материалы и наноструктуры (методы получения, исследования свойств, приборы на их основе)

1. 18-12-00287 «Быстродействующие интегральные трансиверы на основе III-V микродисковых лазеров»
Участники
Крыжановская Наталья Владимировна, Жуков Алексей Евгеньевич, Савельев Артем Владимирович, Шерняков Юрий Михайлович, Щербак Сергей Александрович, Гордеев Сергей Никитич, Драгунова Анна Сергеевна
Годы работы
2018-2020
2. 16-29-03037 «Оптические микроизлучатели на основе гетероструктур GaPN, синтезированных на кремниевых подложках»
Участники
Крыжановская Наталья Владимировна, Моисеев Эдуард Ильмирович, Паюсов Алексей Сергеевич, Балезина(Полубавкина) Юлия Сергеевна, Савельев Артем Владимирович, Резник Родион Романович, Цырлин Георгий Эрнстович, Юрасов Д.В,Байдусь Н.В.
Годы работы
2016-2018