Шубина Ксения Юрьевна

Шубина Ксения Юрьевна

Должность:

Младший научный сотрудник

Адрес:Хлопина, д.8, корпус 3, лит. А
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

С октября 2014 года по февраль 2018 года - инженер лаборатории наноэлектроники СПбАУ РАН
С февраля 2018 года по настоящее время младший научный сотрудник лаборатории наноэлектроники СПбАУ РАН
 

Стипендии и гранты

Именная стипендия Фонда поддержки образования и науки (Алфёровский фонд) 2017-2018 
Премия Правительства Санкт-Петербурга победителям конкурса грантов для студентов вузов, расположенных на территории Санкт-Петербурга, аспирантов вузов, отраслевых и академических институтов, расположенных на территории Санкт-Петербурга 2018 г.

Участие в конференциях

1)K Yu Shubina, T N Berezovskaya, D V Mokhov, A M Mizerov and E V Nikitina « Polarity determination of GaN and InGaN epitaxial layers» International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2016», Санкт-Петербург, 2016
2)K Yu Shubina, T N Berezovskaya, D V Mokhov, A M Mizerov and E V Nikitina «Separation of Ga-polar GaN layer from Si substrate by wet chemical etching» International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2017, Санкт-Петербург, 2017 
3)Шубина К.Ю., Березовская Т.Н., Мохов Д.В., Мизеров А.М., Никитина Е.В.  «Фотохимическое травление Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN, выращенных МПЭ-ПА на подложках Si(111)» международная молодежная конференция «ФизикА.СПб/2017», Санкт-Петербург, 2017 
4)K Yu Shubina, T N Berezovskaya, D V Mokhov, A M Mizerov, E V Nikitina and A D Bouravleuv «Metal-assisted photoenhanced wet chemical etching of GaN epitaxial layers» International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2018», Санкт-Петербург, 2018 
5)К.Yu. Shubina, I.A. Morozov, K.P. Kotlyar, D.V. Mokhov, T.N. Berezovskaya, A.M. Mizerov, E.V. Nikitina and A.D. Bouravleuv «Processing of GaN/Si(111) epitaxial structures for MEMS applications» 26th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Минск, Беларусь, 2018 
 

Образование
В 2014 окончила бакалавриат института физики, нанотехнологий и телекоммуникаций (кафедра физики и технологии наноструктур) СПбГПУ по направлению 011200 «Физика» (профиль «Физика твердого тела»).
В 2016 году окончила с отличием магистратуру института физики, нанотехнологий и телекоммуникаций (кафедра экспериментальной физики) СПбПУ Петра Великого по направлению 03.04.02 «Физика» (профиль «Физика наноструктур и наноэлектроника»).
Послевузовское профессиональное образование

Аспирантура Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета РАН
С 2016 года по настоящее время 
специальность 01.04.10 «Физика полупроводников»
 

Область научных интересов

Полупроводниковые материалы A3N,технология A3N-on-Si, МЭМС, НЭМС, постростовая обработка полупроводниковых гетероструктур