Осипов Андрей Викторович

Осипов Андрей Викторович

Должность:

Старший научный сотрудник

Ученая степень

Доктор физико-математических наук

Адрес:Хлопина, д.8, корпус 3, лит. А
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

1.    С.н.с. лаб. наноэлектроники 2016 г. по наст. время.
2.    Г.н.с. лаб. Структурных и фазовых превращений ИПМаш РАН 2004 г. по наст.  время
3.    Председатель государственной экзаменационной комиссии физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета.
 

Стипендии и гранты

1999-2004 гг. – Стипендия фонда Гумбольдта (Германия)

Гранты:
1.Руководитель 5 грантов РФФИ с 2004-2018 гг..
2. Исполнитель гранта РНФ № 14-12-01102; 2014-2016
3. Исполнитель РНФ продолжающегося гранта № 14-12-01102; 2017-2018.
4. Руководитель проекта Федеральной Целевой Программы N 14.613.21.0055 по теме: Гибридные наноструктуры III-V полупроводников для приложений в фотонике 2018 г.
 

Участие в конференциях

1. A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.M. Mizerov, E.V. Nikitina and A.V. Osipov. Photoelectric properties of GaN/SiC/Si structure grown by the method of atoms substitution and plasma assisted molecularbeam epitaxy // 5th International school and conference «Saint Petersburg OPEN 2018», Санкт-Петербург, Россия, 2 – 5 апреля, 2018. 
2. A.V. Redkov, A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov “A method for synchronous scanning of local photoelectric properties and Raman spectra of GaN/SiC/Si”, 5th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2018",2-5 апреля 2018г. 
3. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. New phase nucleation of solids in a chemical conversion process // Master and slave phase transitions. XLVI International Conference “Advanced Problems in Mechanics” June 25-30, 2018, St. Petersburg, Russia. 
4. A.A. Koryakin, S.A. Kukushkin, N.V. Sibirev. Vapor-solid-solid growth mechanism of Au-catalyzed III-V nanowires// International Workshop and School • Nanostructures for Photonics p-Tue26 St Petersburg, Russia, May 7–12, 2018, P.42. 
5. S. A. Kukushkin, A.V. Osipov and A.V. Luk’yanov. Nano-assembly of SiC films on Si - a new method of growing    low-defect  epitaxial structures.  Nanoscaled silicon carbide on silicon: a new bandgap material for micro- and optoelectronics// Fourth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials  (ASCO-NANOMAT 2018) September 24-27, 2018. Vladivostok 2018 Far Eastern Federal University, PS.25.02i, p.32.
 

Образование

1987 г. Ленинградский Государственный Университет им. А.А. Жданова, специальность физика, квалификация физик, диплом НВ № 439431

Послевузовское профессиональное образование

Ученая степень - доктор физико-математических наук, присуждена 11.10.1996

Ученое звание – с.н.с. 1996 г.

Область научных интересов

Квантовая химия, фазовые переходы, эпитаксия, тонкие пленки, наноструктуры.