Наука
Никитина Екатерина Викторовна
Должность:
и.о. зав. лабораторией, ведущий научный сотрудник, лаборатория наноэлектроники
Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
- Общие данные
03.2004 – 06.2007 – младший научный сотрудник Научно-технологического центра Микроэлектроники при Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе.
с 07.2007 по настоящее время работа в СПбАУ РАН. В настоящее время - ведущий научный сотрудник в лаб. наноэлектроники.
Педагогическая деятельность: 2008-2016 года лабораторные практикумы: «Исследование поверхностных дефектов эпитаксиальных слоев, фотолюминесценция структур с квантовыми ямами (калибровка составов и скорости роста, однородность по поверхности)», «Исследование электрофизических свойств полупроводниковых слоев (n- и p- тип) и структур с двумерным электронным газом методом Холла и вихретоковым методом», СПбАУ РАН.
Руководство бакалавром Академического университета и Политехнического Университета; руководство магистром Академического университета и Политехнического Университета; руководство двумя аспирантами Академического университета.
— лауреат премии ФТИ им. А.Ф.Иоффе за лучшую работу (2003)
— лауреат конкурса “У.М.Н.И.К.” Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (2006 г.)
Гранты РФФИ (руководитель): 17-08-00840
Гранты РФФИ (исполнитель): 16-58-150006, 15-02-08282,014-08-00741, 14-02-00391
Гранты РНФ (исполнитель):17-19-01482
E.V. Nikitina, A.S. Gudovskikh, D.A. Kudryashov, E.V. Pirogov, M.S. Sobolev, K.S. Zelentsov & A.Y. Egorov «GaAs/GaInNAs Heterojunctions for Multijunction Solar Cells» The 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition Paris, France 30 September to 04 October 2013
Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» магистр техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника», кафедра Оптоэлектроники, 2000 г
2006г., кандидат физико-математических наук, специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков
— молекулярно-пучковая эпитаксия;
— спектроскопия;
— полупроводниковые материалы;
— наноструктуры (квантвые ямы, квантовые точки);
— полупроводниковые приборы (включая лазерные диоды, транзисторы с высокой подвижностью электронов).
