Кукушкин Сергей Арсеньевич

Кукушкин Сергей Арсеньевич

Должность:

Старший научный сотрудник

Ученая степеньДоктор физико-математических наук

Ученое звание

Профессор

Адрес:Хлопина, д.8, корпус 3, лит. А
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

1. Председатель государственной экзаменационной комиссии физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета. 
2. Профессор Санкт-Петербургского Научно-образовательного Академического университета- Научно образовательный центр нанотехнологий РАН (НОЦ РАН).
3. Разработал в 2010 году новый курс лекций "Фазовые переходы", который читает в НОЦ РАН в настоящее время.
4. Профессор факультета лазерной фотоники и оптоэлектроники ИТМО
 

Стипендии и гранты

1997 год - Соросовский профессор;
Лауреат премии Президиума РАН им. П.А. Ребиндера за 2010 год; 
Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского научного центра РАН в номинации физика и астрономия им. А.Ф. Иоффе за 2014 год "за выдающиеся научные результаты в области науки и техники"; Лауреат премии правительства Санкт-Петербурга в сфере науки и высшего профессионального образования в номинации "Лучшая научно-инновационная идея" за 2010 год; 
Научный руководитель гранта и участник инновационного центра ''Сколково'' (регистрационный номер № 1110023); 
В 2016 году присвоено почетное звание «Заслуженный деятель науки Российской Федерации».

Гранты:
1.Научный руководитель проекта гранта фонда "Сколково", регистрационный номер № 23 от 15 июля 2011 г. ООО "Новые кремневые технологии НКТ)" Регистрационный номер участника фонда "Сколково" № 111-00-23.Срок выполнения гранта: 2011-2013гг.Успешно выполнен. 
2.Руководитель РФФИ гранта № 13 -02-12040-офи-м;срок:2013 -2015.
3.Руководитель РФФИ гранта № 16-29-03149-офи-м;срок:2016 -2018.
4. Руководитель РНФ гранта № 14 12-01102; 2014-2016
5. Руководитель РНФ продолжающегося гранта № 14 12-01102; 2017-2018.
6.Руководитель программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 24 "Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов";срок:2013-2014гг. 
7.Руководитель в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 11 "Фундаментальные проблемы механики и смежных наук в изучении многомасштабных процессов в природе и технике" 2013-2014гг. 
8.Руководитель выигранной темы в программе  фундаментальных исследований отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления РАН (ОЭММПУ РАН))"Многоуровневое исследование свойств и поведения перспективных материалов для современных узлов трения";срок:2013-2014гг. 
9. Руководитель в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 1 "Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1«НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ"; срок:2016-2017гг.
10. Руководитель выигранной темы в программе фундаментальных исследований  Президиума РАН № 1 "Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1«НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ"; срок:2018-2019гг.
 

Участие в конференциях

1. С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, А.В. Осипов «Нанокарбид кремния на кремнии —новая подложка для эпитаксии полярных и полуполярных гетероструктур соединений III-N». “11-я Всероссийская конференция Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы, Россия, Санкт-Петербург, 1-3 февраля 2017г. Москва. МГУ им. Ломоносова.
2. S. A. Kukushkin, A.V. Osipov. Drift mechanism of mass transfer on heterogeneous reaction in crystalline silicon substrate. VII International conference  diffusion fundamentals NUST «MIS&S» July  3-7,  2017, Moscow,  Russia, р.60-61.  
3. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. New phase nucleation of solids in a chemical conversion process // Master and slave phase transitions. XLVI International Conference “Advanced Problems in Mechanics” June 25-30, 2018, St. Petersburg, Russia. 
4. A.A. Koryakin, S.A. Kukushkin, N.V. Sibirev. Vapor-solid-solid growth mechanism of Au-catalyzed III-V nanowires// International Workshop and School • Nanostructures for Photonics p-Tue26 St Petersburg, Russia, May 7–12, 2018, P.42. 
5. S. A. Kukushkin, A.V. Osipov and A.V. Luk’yanov. Nano-assembly of SiC films on Si - a new method of growing    low-defect  epitaxial structures.  Nanoscaled silicon carbide on silicon: a new bandgap material for micro- and optoelectronics// Fourth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials  (ASCO-NANOMAT 2018) September 24-27, 2018. Vladivostok 2018 Far Eastern Federal University, PS.25.02i, p.32.
 

Образование

Ленинградский Технологический институт им. Ленсовета, факультет Химия и технология сорбентов, год окончания 1977, Инженер-химик-технолог Диплом Б-1 №348783

Послевузовское профессиональное образование

Ученая степень - доктор физико-математических наук, присуждена 03.04.1992

Ученое звание - профессор, присвоено 19.07.1996 
 

Область научных интересов

Фазовые переходы, эпитаксия, разрушение, тонкие пленки, трещины, прочность материалов, наноструктуры, фазовые равновесия, поверхность.