Наука
Горай Леонид Иванович

Должность:
Главный научный сотрудник, лаборатория наноэлектроники
Ученая степень
Доктор физико-математических наук
- Общие данные
Г.н.с. лаб. «Приборов и методов эпитаксиальных нанотехнологий» Института аналитического приборостроения РАН, 2011 – по наст.;
- Академический университет, член Ученого совета и член Специализированного диссертационного совета;
- Институт Аналитического приборостроения РАН, член Ученого Совета и член Специализированного диссертационного совета;
- член научного программного комитета ежегодной международной конференции “Days on Diffraction”;
- член редакционного комитета “IEEE Proceedings of the International Conference Days on Diffraction”.
руководитель и со-руководитель грантов РФФИ, Президиума РАН, СПб НЦ РАН, госконтрактов в рамках ФЦП, а также со-руководитель гранта НАСА;
- в области теории дифракции: разработан строгий метод граничных интегральных уравнений, предназначенный для работы во всем оптическом диапазоне;
- в области численного моделирования: проведен анализ строгими методами интенсивности коротковолнового рассеяния на многослойных наноструктурированных элементах (решетках, шероховатых зеркалах, зонных пластинках, низкоразмерных нанокристаллах);
- в области создания (от идеи до коммерческой разработки) специализированного ПО: более 500 дистрибутивов программ PCGrate® for Windows 32/64- bit используются мировыми научными центрами, университетами, частными и государственными корпорациями, малым бизнесом. PCGrate® применялись для создания и аттестации спектральных приборов международных космических станций: the SOFIA Airborne Infra-Red Echelle Spectrometer (AIRES), the SKYLAB spectrograph, the J-PEX sounding rocket spectrometer, the Cosmic Origins Spectrograph for the Hubble Space Telescope, the Extreme Ultraviolet Imaging Spectrometer (EIS) of the Solar-B project (Hinode), the Reflection Grating Spectrometer (RGS) for the Constellation-X (IXO) project, the Solar Imaging Suite for GOES-R satellites, the NASA Ultra-Stable Extreme Ultraviolet Solar Monitor, ЭУФ спектрогелиографы для аппаратуры Кортес на МКС и др.
моделирование роста тонких пленок на наноструктурированных подложках.
Приглашенные доклады: 7th PXRMS 2004 (Supporo, Japan); Con-X Town Hall meeting at the 207th AAS meeting 2006 (Washington, DC, US); Photonics Congress 2011 (Munich, Germany); 11th SRI 2012 (Lyon, France); SPIE Optics + Photonics 2016 (San Diego, CA, US)
1987 — закончил с отличием факультет электронной техники (базовая кафедра оптоэлектроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе, гр. 128) Ленинградского электротехнического института («ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина)») по специальности опто-электронные приборы.
1990 — закончил очную аспирантуру Государственного оптического института («ГОИ им. С.И. Вавилова»), г. Ленинград.
2004 — защита кандидатской диссертации в Институте аналитического приборостроения РАН (специальность 01.04.01 – приборы и методы экс. физики); тема: "Численный анализ свойств отражательных дифракционных решеток для рентгеновского излучения".
2011 — защита докторской диссертации в Институте аналитического приборостроения РАН (специальность 01.04.01); тема: "Анализ интенсивности рентгеновского рассеяния на многослойных дифракционных элементах методом интегральных уравнений".
Продолжительные визиты с целью совместных научных исследований:
- в Военно-морскую исследовательскую лабораторию США (NRL, Washington DC, USA, 1998/1999);
- в Центр космический полетов в Годдарде, НАСА (NASA GSFC, ML, USA, 2003/2004);
- в Решеточную лабораторию Ричардсона, США (RGL, Newport Corp., NY, Rochester, USA, 1998/1999, 2006/2007);
- в Институт Вейерштрасса, Германия (WIAS, Berlin, Germany, 2009/2010/2012/2018);
- в Национальную исследовательскую лабораторию Лоуренса в Беркли, США (Berkeley, CA, USA, 2010/2011)
оптоэлектронные и спектральные приборы;
дифракционные решетки и многослойные структуры, строгая теория дифракции;
метод граничных интегральных уравнений и конечных (объемных) элементов;
моделирование строгими методами интенсивности рассеяния излучения (от рентгеновского до радиодиапазона) нананоструктурами;
численный анализ электронных и оптических свойств полупроводниковых гетероструктур
