Установка плазмохимического осаждения Oxford Plasmalab system 100 PECVD (Oxford instruments, Великобритания)

Установка предназначена для плазмо-химического осаждения диэлектрических и полупроводниковых слоев (SiO2, Si3N4, a-Si:H, a-SiC:H) с контролируемой стехиометрией. Установка имеет шесть газовых магистралей, позволяющих варьировать газовую смесь в рабочей камере. Частота ВЧ генератора 13,56 МГц. Установка снабжена загрузочным шлюзом. Конструкция подложкодержателя позволяет проводить как нагрев (до 400°С), так и охлаждение подложки, а также подавать ВЧ смещение для ионно-стимулированного осаждения и контроля стехиометрии осаждаемого материала.