Установка молекулярно-пучковой эпитаксии RIBER49 (Riber, Франция)

Установка молекулярно-пучковой эпитаксии RIBER49 (Riber, Франция)

Установка Riber49 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии любые полупроводниковые структуры на основе материалов InyAlxGa1-x-yAs. В качестве легирующей примеси n-типа используется кремний, Si.
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии RIBER49 оснащена 10 портами для испарительных ячеек.
Установка Riber49 оснащена системами измерения и контроля: вакууметром, измерителем потока, системой измерения дифракции на быстрых электронах (RHEED), квадрупольным масс-спектрометром.
Установка Riber49 позволяет выращивать в одном эпитаксиальном процессе:
•    одну пластину диаметром 4 дюйма;
•    пять пластин диаметром 3 дюйма;
•    восемь пластин диаметром 2 дюйма.