Установка молекулярно-пучковой эпитаксии RIBER MBE49 (Riber, Франция)

Установка Riber MBE49 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии любые полупроводниковые структуры на основе материалов InyAlxGa1-x-yAs. В качестве легирующей примеси n-типа используется кремний, Si; в качестве легирующей примеси p-типа используется бериллий, Be.
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Riber MBE49 оснащена 10 портами для испарительных ячеек.
Установка Riber MBE49 оснащена системами измерения и контроля: вакууметром, измерителем потока, системой измерения дифракции на быстрых электронах (RHEED), квадрупольным масс-спектрометром.
Установка Riber MBE49 позволяет выращивать в одном эпитаксиальном процессе:
•    одну пластину диаметром 6 дюймов;
•    три пластины диаметром 4 дюйма;
•    пять пластин диаметром 3 дюйма;
•    восемь пластин диаметром 2 дюйма.