Установка молекулярно-пучковой эпитаксии Veeco GEN 200 (Veeco,США)

Установка Veeco GEN200 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковые структуры на основе материалов InyAlxGa1-x-yN. Для получения атомарного азота, необходимого для роста слоев III-N, используется плазменный высокочастотный источник.
Установка Veeco Gen 200 позволяет выращивать в одном эпитаксиальном процессе:
•    одну пластину диаметром 6 дюймов;
•    четыре пластины диаметром 4 дюйма;
•    семь пластин диаметром 3 дюйма;
•    четырнадцать пластин диаметром 2 дюйма.