Направление исследований

 Основными направлениями работы лаборатории являются исследования в области физики полупроводниковых наноструктур на основе A3B5 соединений, разработке технологий их синтеза с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии, теоретическому моделированию процессов их формирования и свойств, их диагностике и созданию на их основе новой элементной базы электроники. В том числе, в лаборатории ведется разработка методов эпитаксиального роста полупроводниковых наноструктур:

— на основе А3N соединений (с использованием плазменной активации азота на различных подложках);

— гетероструктур на основе GaAs (решёточно-согласованных, псевдоморфных и метаморфных).

Также ведутся исследования по интеграции полупроводниковых структур A3B5 с кремнием, основным полупроводниковым материалом современной электроники.

Были разработаны технические условия для выпуска псевдоморфных гетероструктур на подложках GaAs и InP для создания приборов СВЧ-электроники. Кроме того, в лаборатории ведутся работы в области теории дифракции, которые привели к созданию пакета компьютерных программ PCGrate® используемого для разработки и аттестации спектральных приборов международных космических станций: Hubble Space Telescope, Solar-B (Hinode), Constellation-X (IXO), аппаратура Кортес на МКС.

Исследования и разработки осуществляются в сотрудничестве с ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Институтом физики полупроводников сибирского отделения РАН, МИЭТ, АО «НПП «Исток» им. Шокина», ПАО «Микрон», АО «НПП «Салют», Фондом «Сколково», Сколковским институтом науки и технологий, а также с целым рядом зарубежных научных центров и университетов.