Цырлин Георгий Эрнстович

1987-2012 Институт аналитического приборостроения РАН: последовательно в должностях стажера-исследователя, мл. научного сотрудника,  ст. научного сотрудника, Зав. лабораторией
2012 - настоящее время Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): последовательно в должностях: главного научного сотрудника, зав. лабораторией
 

1. Почетная грамота Президиума РАН (1999 г.)
2. Диплом победителя конкурса молодых специалистов Санкт Петербурга (1998 г.)
3. Alexander von Humboldt Fellow, Max-Plank Institute for microstructure physics, Halle/Saale, Germany, 2001 - 2003 г.
4. INTAS Young Scientist Award, 1998 г.
5. Alexander von Humboldt Fellow 2006-2007
6. Visiting professor, Laboratory for Photonics and Nanostructures (LPN CNRS), Marcoussis, France, 2006-2007
 

G.E. Cirlin. «III-V Nanowires: Growth, Properties and Applications», Proc. 4th International Scientific Conference «STRANN 2014», Saint-Petersburg, 22-25 April, 2014, p.22.(invited)
George Cirlin. "III-V semiconductor nanowires on silicon", Abs. IMMEA - 2015 International Meeting on Materials for Electronic Applications, 09-12 September 2015, Marrakech - MOROCCO p. 67 (invited).
Г.Э.Цырлин, N.Akopian. "Источники одиночных фотонов на основе GaAs квантовых точек в AlGaAs нитевидных нанокристаллах", Труды XХ международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника", Н.Новгород, 14 - 18 марта, 2016, с. 770-771 (приглащенный).
George E.Cirlin, Nika Akopian. "Single photon sources based on hybrid nanowire - quantum dot systems", Abs. European Semiconductor Laser workshop, Darmstadt. Germany, September 23-24, 2016, p.15-16 (invited).
George E. Cirlin "A3B5 heterostructured nanowires grown on silicon substrates using MBE", Abs. EMN (Energy Materials Nanotechnology) meeting on Nanowires 2018, June 11-15 2018, Prague, Czech Republic, p.6 (invited).
 

Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина), факультет электронной техники, кафедра оптоэлектроники. Диплом 1987 г.
Специальность: оптико-электронные приборы
Квалификация: инженер-оптик (физик)

1991 г: кандидатская диссертация «Компьютерное моделирование процессов эпитаксиального роста в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и ее разновидностях»; дис. совет при ИАП РАН 
к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.01 – приборы и методы экспериментальной физики
2001 г: докторская диссертация «Эффекты самоорганизации на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии»; дис. совет при ИАП РАН
д.ф.-м.н., научные специальности 01.04.01 – приборы и методы экспериментальной физики и  01.04.10 – физика полупроводников.

полупроводниковые материалы и наноструктуры (технология роста, исследования свойств, приборы на их основе)