Хребтов Артем Игоревич

Хребтов Артем Игоревич

Должность:

Старший научный сотрудник

Адрес:Хлопина, д.8, корпус 3, лит. А, каб. 511 (СЛК)
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

1987-2009 Государственный Оптический Институт им. С.И.Вавилова: последовательно в должностях стажера-исследователя, младшего научного сотрудника, научного сотрудника
2010 - настоящее время Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): последовательно в должностях:  научного сотрудника, старшего научного сотрудника
 

Участие в конференциях

Features of fluorescence of CdSe/ZnS semiconductor quantum rods in multicomponent solutions with pentylcyanobiphenyl” . Danilov V. V.; Baranov  A. V.; El'yashevich G. K.; Khrebtov A.I.  и др. Конференция: 2nd International Symposium Topical Problems of Biophotonics Местоположение: Nizhni Novgorod, RUSSIA публ.: JUL 19-24, 2009.
“Light-emitting tunneling nanostructures based on quantum dots in a Si and GaAs matrix “. Talalaev V. G.; Tonkikh A. A.; Zakharov  N. D.; Khrebtov A.I. и др. Конференция: 16th Symposium on Nanophysics and Nanoelectronics Местоположение: Nizhni Novgorod, RUSSIA публ.: MAR 12-16, 2012.
. A.I.Krebtov, G.E.Cirlin, V.G.Talalaev, I.V.Shtrom, A.D.Bourauleuv, Yu.B.Samsonenko, V.V.Danilov, A.S.Pafnutova, B.V.Novikov, P.Werner. “Composite system based on CdSe/ZnO quantum dots and GaAs nanowires”, Proc.21th International Symposium “Nanostructures: physics and technology” – June 24-28, 2013, St.Petersburg, Russia.
”Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon “. Cirlin  G. E.; Shtrom  I. V.; Reznik  R. R.; Khrebtov A.I. и др. Конференция: 20th International Symposium on Nanophysics and Nanoelectronics Местоположение: Nizhny Novgorod, RUSSIA публ.: MAR 14-18, 2016.
”MBE synthesis of (In,Mn)As quantum dots using Mn selective doping”. Bouravleuv A.; Sapega V.; Nevedomskii  V.; Khrebtov A. и др. Конференция: Conference of the International-Organization-for-Crystal-Growth (IOCG) held during the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE) Местоположение: Nagoya, JAPAN
 

Образование

Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина), факультет электронной техники, кафедра оптоэлектроники. Диплом 1987 г.
Специальность: оптико-электронные приборы
Квалификация: инженер-оптик (физик)

Область научных интересов

полупроводниковые материалы и наноструктуры (технология роста, исследования свойств, приборы на их основе)