Установки молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 12 (Riber, Франция)

Установка Riber Compact 12 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковые структуры на основе материалов InN, AlN, GaN. В качестве легирующих примесей используются Si и Mg.