Наука
Установки молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 12 (Riber, Франция)
![Установки молекулярно-пучковой эпитаксии Riber Compact 12 (Riber, Франция)](/assets/components/phpthumbof/cache/Riber-Compact-12___1.bc0ade4e96532b27ccfadb2ce233d018.jpg)
Установка Riber Compact 12 позволяет выращивать методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковые структуры на основе материалов InN, AlN, GaN. В качестве легирующих примесей используются Si и Mg.
![](/assets/theme/images/au-logo-full.png)