Установка исследования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов на базе автоматизированного быстродействующего монохроматора

Установка предназначена детектирования спектров излучения полупроводниковых и диэлектрических материалов (в том числе полупроводниковых наногетероструктур на основе III-V соединений) в спектральном диапазоне 185 нм-1700нм с высоким спектральным разрешением (0,008 нм) и пространственным разрешением до (1 мкм). Температура исследуемых образцов контролируется в диапазоне от 77 до 450 K.

Измерения проводятся при оптической накачке образцов YAG:Nd лазером мощностью до 500мВт с длинной волны излучения 527 нм или электрической накачки в непрерывном режиме. Для детектирования сигнала в ближнем инфракрасном диапазоне используется многоканальный InGaAs детектор. Для детектирования сигнала в видимом диапазоне используется одноканальный Si детектор, при этом излучение накачки модулируется с помощью прерывателя оптического луча.

В стенде задействовано следующее основное оборудование:

• монохроматор "HORIBA" FHR1000
• синхронный детектор "Stanford Research Systems"
• лазер DTL-413 (527 нм)
• InGaAs ПЗС-матрица "HORIBA" "Symphony"
• кремниевый одноканальный детектор "Teledyne Judson Technologies"
• прерыватель оптического луча "Thorlabs"
• источник питания Keithley 2280S
• комплект объективов (х10, х50, х100)
• комплект оптических фильтров и стекл
• поляризаторы и призмы Глана