Синтезируй фантастический InGaN нанолес

Вас ожидает синтез InGaN наноструктур развитой морфологии (впервые в мире!) на кремнии методом молекулярно пучковой эпитаксии!

В рамках проекта вы будете использовать методы:

• электронной микроскопии,
• фотолюминесцентной спектроскопии,
• рентгеновской дифрактометрии

для исследования свойств выращенных наноструктур.

В настоящее время полупроводниковые соединения нитридов металлов III-группы благодаря своим уникальным свойствам вызывают повышенный интерес для современной оптоэлектроники. В частности, тройные соединения InGaN являются перспективными для создания приборов, излучающих в видимой области спектра. Интерес к получению таких структур обусловлен, в том числе, перспективами интеграции полупроводников III-N и кремниевой электроники!

Руководитель – Котляр Константин