АЛФЕРОВСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НА ПЕРЕДНЕМ КРАЕ НАНОФОТОНИКИ

30 июня 2020, 14:51

Нанофотника сегодня по праву является одним из ключевых направлений развития информационных технологий. При этом, для повышения частот новых вычислительных устройств на основе такого подхода требуется разработка новых источников, приемников и волноводов, работающих на длинах волн, лежащих в видимом диапазоне. 

Для реализации источников, галогенидные перовскиты являются перспективными материалами, которые при относительно низких затратах позволяют изготавливать эффективные микро- и нанолазеры. С другой стороны, полупроводниковые нанопроволоки полупроводников III-V оптимальны для создания проводников видимого света, поскольку они имеют высокий показатель преломления, а также обладают большой длиной при низком поперечном сечении и высоким кристаллическим совершенством, что позволяет передавать излучение видимого диапазона в оптических схемах. 

В одной из последних работ мы с коллегами из ИТМО исследуем интегрированную фотонную платформу на основе нанопроволок фосфида галлия (GaP) встроенных в компактные источники света на основе перовскита CsPbBr3. Последние поддерживают стабильную генерацию при комнатной температуре и обеспечивают возможность настройки длины волны излучения в диапазоне 530–680 нм путем химической обработки, в то время как нановолноводы GaP обеспечивают эффективный вывод излучения при субволновом (<200 нм) ограничении и передачу на расстояния более 20 мкм. Также, мы демонстрируем преобразование света с использованием промежуточных наночастиц перовскита между нановолноводами GaP.

О перспективах применения таких гибридных структур читайте в журнале ACS Nano