Об университете

Гудовских Александр Сергеевич

Гудовских Александр Сергеевич

Профессор, кафедра функциональных микро- и наноматериалов

Преподаваемые дисциплины:

Фотоэлектр. преобразователи, гр. 501

Ученая степень

доктор технических наук (специальность 05.27.01 – твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)

  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

2002 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина): ассистент
2002-2006 г. походил научную стажировку (Postdoc) в Электротехнической лаборатории Парижа (Laboratoire de Génie Electrique de Paris CNRS) во Франции.
2006-настоящее время Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет (ранее СПбНОЦ НТ РАН, АФТУ РАН): последовательно в должностях: старшего научного сотрудника, ведущего научного сотрудника
2010 - настоящее время (по совместительству) Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина): последовательно в должностях: ассистент, доцент, профессор

Образование

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), факультет электронной техники, кафедра микроэлектроники.
Диплом (с отличием)
АВМ № 0032211 от 30.06.1999.
Направление «Техническая физика»
Квалификация: магистр физики

Послевузовское профессиональное образование

2002 г. кандидатская диссертация «Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения»; дис. совет Д 212.238.04  при СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков.
Диплом КТ № 084782 от 15.12.2002.

2014 г : докторская диссертация«Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения»; дис. совет Д 212.238.04  при СПбГЭТУ «ЛЭТИ» д.т.н., научная специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Диплом ДНД № 000990 от 18.05.2015

Данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке (при наличии)

2015 г: повышение квалификации по доп. проф. программе «Противодействие коррупции» удостоверение  782401614666 от 27.10.2015
2015 г: повышение квалификации по доп. проф. программе «Английский язык для академических целей» удостоверение  782402760247 от 18.12.2015
2016 г: повышение квалификации по доп. проф. программе «Английский язык профессиональной деятельности преподавателя» удостоверение  782402760924 от 14.06.2016

Область научных интересов

Полупроводниковые гетероструктуры, солнечные элементы, границы раздела, тонкопленочные технологии