Полупроводниковые транзисторы: от подложки до прибора

Полупроводниковые транзисторы… Что это такое? Для чего используются? Чем отличаются транзисторы друг от друга? Как изготавливаются?

 

Во время проекта мы рассмотрим производство транзисторов на примере полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе материалов InAlGaAs начиная от изготовления гетероструктуры методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Выясним, зачем использовать такие сложные технологии и материалы, возможно, достаточно кремния? Разберем, какие параметры гетероструктуры мы должны контролировать и как это можно сделать. Но гетероструктура это еще не транзистор и для получения прибора нужно еще много шагов, часть пути мы успеем пройти.

В процессе проекта будет сделано:
- знакомство с методом молекулярно-пучковой эпитаксии, как одним из современных методов изготовления полупроводниковых гетероструктур;
- определение параметров эпитаксиального роста с помощью исследования тестовых гетероструктур методом фотолюминесценции и методом Холла;
- исследование гетероструктур полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе системы материалов InAlGaAs на подложках GaAs;
- изготовление тестового транзистора: литография, нанесение контактной металлизации, травление и конечно же исследование электрофизических свойств.

Руководитель проекта - Екатерина Никитина.