Заведующий кафедрой Алферов Жорес Иванович

Заведующий кафедрой Алферов Жорес Иванович

Должность:

Заведующий кафедрой

Ученая степень

Доктор физико-математических наук

Ученое звание

Профессор, член-корреспондент РАН, академик РАН

Адрес:Хлопина, д.8, корпус 3, лит. А
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

с 1953 г. – младший научный сотрудник лаборатории В. М. Тучкевича Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе;
 c 1972 -  член-корр. АН СССР по Отделению общей физики и астрономии (физика);
 с 1973 г. – заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ленина; 
с 1979 - академик АН СССР; 
с 1988 г. – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета; 
1987–2003 гг. – директор Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе; 
С 1990 по 1991 г. - вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра, 
с 1991 г. по 2017 г. - вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, 
с 2018 г. – Президент СПб НЦ. В 2009 году возглавляемый им с 2002 года  Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН получил новое название, став Санкт-Петербургским академическим университетом - научно-образовательным центром нанотехнологий РАН, Алферов стал ректором университета (c 2011 года – Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН).
 

Стипендии и гранты
  •  Нобелевская премия по физике (2000).
  •  Премия "Глобальная энергия" (2005). 
  •   Медаль Балантайна Института Франклина (США, 1971) "За теоретически экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре".  
  •    Награда Симпозиума по GaAs (1987) "За пионерные работы в области полупроводниковых гетероструктур на основе соединений III-V групп и разработку инжекционных лазеров и фотодиодов", и др.
     
Образование

В 1952 году окончил факультет электроники Ленинградского электротехнического института им. В. И. Ульянова (Ленина)

Данные о повышении квалификации и (или) профессиональной переподготовке (при наличии)

Является основоположником научной школы "Физика полупроводниковых гетероструктур и их применение".

Область научных интересов

Физика полупроводниковых гетероструктур