Старков Иван Александрович

Старков Иван Александрович

Должность:

Младший научный сотрудник

Ученая степень

Степень магистра физики по направлению «физика»

Дата и место рождения:

30.03.1983, Ленинград

Телефон:5701
Мобильный:5701
Адрес:каб.406(СЛК)
  • Общие данные
Научная и педагогическая деятельность

2016-настоящее время Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет, младший научный сотрудник

Участие в конференциях

1. I. Starkov, A. Starkov: “Impact of conical points on the object’s scattered field”, Talk: Annual International Conference Days on Diffraction, Saint-Petersburg, Russia; 2016-06-27 – 2016-07-01; in “Proceedings of the International Conference DAYS on DIFFRACTION 2016”, (2016).
2. I.A. Starkov, A.S. Starkov,: "A Semi-Numerical Approach to Radiation Boundary Conditions "; Talk: International Conference on Numerical Methods and Applications, Borovets, Bulgaria; 2014-08-20 - 2014-08-24; in "Eighth International Conference on Numerical Methods and Applications", (2014), A-1.
3. I. Starkov, Z. Raida, A. Starkov: “A New Model for Radiation Boundary Conditions”; Talk: The 24th International Conference Radioelektronika (RADIOELEKTRONIKA), Bratislava, Slovakia; 2014-04-15 – 2014-04-16; in “Proceedings of the 24th International Conference Radioelektronika”, (2014), ISBN: 978-1-4799-3714-1; 1-4.
4. I. Starkov, H. Enichlmair, T. Grasser: "Local Oxide Capacitance as a Crucial Parameter for Characterization of Hot-Carrier Degradation in High-Voltage n-MOSFET"; Talk: Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM), Dresden; 2012-06-25 - 2012-06-27; in: "Abstract Booklet", (2012), 40.
5. I. Starkov, H. Enichlmair, S. Tyaginov, T. Grasser: "Analysis of the Threshold Voltage Turn-Around Effect in High-Voltage n-MOSFETs Due to Hot-Carrier Stress"; Poster: International Reliability Physics Symposium (IRPS), California, USA; 2012-04-17 - 2012-04-19; in: "Conference Proceedings of International Reliability Physics Symposium (IRPS 2012)", (2012), ISBN: 978-1-4577-1680-5; 6 pages.
 

 

Образование

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, кафедра статистической физики – 2007г.
 

Область научных интересов

микроэлектроника; физика дефектов; композиционные материалы