Алферов Ж. И.

АЛФЁРОВ ЖОРЕС ИВАНОВИЧ (15.03.1930 – 01.03.2019)

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 г. в г. Витебске (Белоруссия). Окончил с отличием Ленинградский электротехнический институт имени В. И. Ульянова (Ленина) по специальности «электровакуумная техника» (1952). Кандидат технических наук (1961), доктор физико-математических наук (1970), профессор (ЛЭТИ) - с 1972 г., член-корреспондент АН СССР (1972); академик АН СССР (1979).

Основные этапы трудовой деятельности:

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе АН СССР младшим научным сотрудником, с 1964 года - старший научный сотрудник, с 1967 года - заведующий лабораторией. С 1987 года - директор, с мая 2003 по август 2006 года - научный руководитель института.

С 1972 г. –  профессор, с 1973 г. – заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ленина.

С 1988 г. – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

С 1990 по 1991 г. - вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра, с 1991 г. по 2017 г. - вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, с 2018 г. – Президент СПб НЦ.

В 2009 году возглавляемый им с 2002 года  Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН получил новое название, став Санкт-Петербургским академическим университетом - научно-образовательным центром нанотехнологий РАН, Алферов стал ректором университета (c 2015 года – Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН).

Основные научные работы в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, технической физики. Принимал участие в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Создал "идеальные" полупроводниковые гетероструктуры. Исследованиями Ж.И. Алферова фактически создано новое направление - гетеропереходы в полупроводниках.

Жорес Иванович Алферов - один из крупнейших российских ученых в области физики и техники полупроводников, его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. Автор более 500 научных работ, в том числе 4 монографий, более 50 изобретений.

Ж.И. создал собственную научную школу: среди его учеников более сорока кандидатов и десяти докторов наук, а также два член-корреспондента РАН.

Общественная деятельность:

Учредитель и Президент  Фонда поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. (2001 г.)
Народный депутат СССР (1989-91), с 1995 года избирается депутатом Государственной Думы РФ. Член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям (2012–2016).
Сопредседатель  Консультативного  научного совета фонда «Сколково» (с 2010 г.).
Главный редактор журнала «Письма в Журнал технической физики»,

Почетные звания и награды

Почетный член многих российских и иностранных академий, в том числе Академии Наук Республики Беларусь, Академии наук Украины, Франклиновского института и Оптического общества (США), единственный из российских ученых, кто был избран в 1990 г. иностранным членом Академии наук США ("за гетероструктуры") и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США ("за развитие принципов теории и технологии гетероструктур"), Академии науки и технологии Кореи, Испанской инженерной академии, Национальных Академий Наук Азербайджана, Казахстана, Литвы и Молдовы, Польской и Болгарской Академий наук Академии наук «Forty», Италия, Академии наук Китая.

 

Почетный доктор более 60 университетов в мире, в том числе: Франклиновского института, США  (1971 г.),  Гаванского Университета, Куба, (1987 г.), Санкт-Петербургского Гуманитарного университета профсоюзов» (1998); Белорусского государственного университета (2001); Мадридского университета,  Испания  (2001 г.), СПбГЭТУ (ЛЭТИ) (2001); Университета Св. Эндрю, Великобритания (2006 г. ), Берлинского Технического Университета, Германия (2009 г.), Лондонского Университета, Великобритания (2013 г.).

Почетный профессор 13 университетов России, Венесуэлы, Китая, Кубы, Шотландии и Финляндии, в т.ч. СПбГТУ (2000); МГУ (2001); Московского физико-технический института (2008), Московского института электронной техники (2015); Физико-технического института Крымского федерального университета им. В. И. Вернадского.

 


Основные научные награды и премии:

Премия Балантайна института Франклина (США, 1971) -- "За теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре";


Ленинская премия (СССР, 1972) -- "За фундаментальные исследования геторопереходов в полупроводниках  и создание новых приборов на их основе";


Премия Европейского физического общества -- "За новые работы в области гетеропереходов" (1978);


Государственная премия (СССР, 1984) -- "За разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений  A3B5";


Премия А.П. Карпинского (ФРГ, 1989) -- "За вклад в развитие физики и техники гетероструктур";


Премия им. А.Ф. Иоффе РАН (РАН, 1996) -- "За цикл работ «Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур»";


Нобелевская премия  -- "За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники", (Швеция, 2000);


Премия Киото (Инамори фонд, Япония, 2001) – «За успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах – пионерский шаг в оптоэлектронике»;


Награда «Золотая тарелка» Академии достижений, США (2002)


Международная премия «Глобальная Энергия» (2005)


Международная премия Карла Боэра (2013)


Золотая медаль имени Низами Гянджеви (2015)


Кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством» всех четырех степеней.


Награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, «Знак Почета», Александра Невского, медалями, почетным знаком «За заслуги перед Санкт-Петербургом», орденом Франциска Скорины (Беларусь), орденом Ярослава Мудрого (Украина).


Заслуженный энергетик РФ.


Почетный гражданин городов Санкт-Петербург (2001), Минск, Сан-Кристобаль (Венесуэла), сёл Хильки и Комаривка (Корсунь-Шевченковский район,  Украина, 2001)


Именем Алферова названа малая планета Солнечной системы № 3884.

Основные труды:

Ж.И. Алферов  О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе p-i-n (p-n-n+, n-p-p+) структуры с гетеропереходами. ФТП, 1 , с.436-438, 1967.
Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Д.Н. Третьков и В.М. Тучкевич.  Высоковольтные p-n  переходы  в  кристаллах  GaxAl1-xAs.  ФТП, 1 ,с.1579-1581, 1967.
Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Е.Л. Портной и М.К. Трухан. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной   температуре. ФТП, 3 , с.1328-1332, 1969. Zh.I. Alferov  Electroluminescence of heavily doped AlxGa1-xAs-GaAs heterojunctions. Journal of Luminescence 1, p.935-950, 1969.
Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной и В.Г. Трофим. Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе AlAs-GaAs на  пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной  температуре. ФТП, 4 , с.1826-1829, 1970.
Zh.I. Alferov  The history and future of semiconductor heterostructures from the point of view of   a russian scientist. Physica Scripta. Vol. 68, p.32-45, 1996.
Ж.И. Алферов Физика и жизнь. СПб.: Наука, 2000.
Ж.И. Алферов Физика и жизнь. Изд. 2-е, дополненное. – М.-СПб.: Наука, 2001.
Ж.И. Алферов Наука и общество / Ж.И. Алферов; Физико-технический ин-т им. А.Ф. Иоффе – СПб.: Наука, 2005. – 383 с., 146 ил.

Основные опубликованные работы об академике Ж.И. Алферове:

Академику Ж.И. Алферову – 50 лет. // Вестн. АН СССР. 1980, N7, с.135-136.
Кулик-Ремезова  В. Физик Жорес Алферов. // Неделя, N 44 , 1980, с.13.
Храмов Ю.А. Физики: Биографический справочник. – 2-е изд., испр. и доп. – М.: Наука, 1983, с.11-12.
Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения). // Успехи физ. наук, 1990. Т. 160, вып. 3, с.153-156.
Беларуская энцыклапедыя: у 18 т. Мінск, 1996. Т. 1: «А–Аршны». С. 85;
Захарченя Б.П. Небольшая сага о Жоресе Алферове  // Аврора, 1996, N 5, с.38 – 50.
Макаров И. М., Топчеев Ю. Н. Великий Физик нашего времени – Жорес Иванович Алферов // История науки и техники. 2002. № 11. С. 41–51;
Большая российская энциклопедия. М., 2005. Т. 1: «А–Анкетирование». С. 539;
Республика Беларусь: энциклопедия. Минск, 2006. Т. 2: «А–Герань». С. 85; Суркова М. Вперед, невзирая на трудности // За науку.  2009. № 3(1818). С. 4–11.
Цикл передач на канале «Культура» « Магический кристалл», 2015 г., редактор Б.А.Куркова.