Центр нанотехнологий
Центр высшего образования
Центр общего образования

Поиск

Информация о сотруднике

Максимов Михаил Викторович


Краткое резюме

Доктор физ.-мат. наук, родился 24.12.1964 г. в Ленинграде.

Образование:

1989 — закончил Ленинградский Политехнический институт им.М.И.Калинина

1995 — защита кандидатской диссертации в Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе (тема: Оптические свойства низкоразмерных гетероструктур в системах материалов AIIIBV и AIIBVI ).

1989 — защита докторской диссертации в Учреждении Российской академии наук Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН (тема: Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов).

Основное место работы:

Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН – Старший научный сотрудник

Участие в работе советов.

Научные:

Член ученого совета Санкт-Петербургского Академического университета - научно-образовательного центра нанотехнологий РАН

Совместительство:

Ведущий научный сотрудник Санкт-Петербургского Академического университета - научно-образовательного центра нанотехнологий РАН (Академический университет)

Курсы лекций:

Семинар по специальности, 6 курс, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”

Область научных интересов:

Оптические свойства низкоразмерных гетероструктур :

Полупроводниковые лазеры, лазеры на квантовых точках

Нанофотоника, полупроводниковые микрорезонаторы и фотонные кристаллы

Новые типы волноводов полупроводниковых лазеров

Источники одиночных фотонов

Плазмоника

Наиболее значимые публикаци

Книги и брошюры:

1. А.Е.Жуков, М.В.Максимов, Современные инжекционные лазеры, Изд. Политехнического университета, С-Петербург, 2009, 277с.

2. D. Bimberg, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, F. Heinrichsdorf, V.M. Ustinov, P.S. Kop’ev, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov. Optical Properties and Lasing in Self-Organised Quantum Dots in Optics of Qunatum Dots and Wires, ed. Garnett W. Bryant and Glenn S. Solomon (Artech House, Boston/London, 2005).

3. M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Lasers in Dekker Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Ed. James A. Schwarz, Cristian I. Contescu, and Karol Putyera, 3109–3126 (Marcel Dekker, Inc.: New York, 2004).

4. D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov, S.V. Zaitsev, M.V. Maximov. InGaAs/GaAs Quantum Dots Lasers, in Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, eds. G. Abstreiter, A. Aydinli, and J.–P. Leburton, 344, 315–330 (NATO ASI Series. Series E: Applied Sciences – Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, Netherlands, 1997)

5. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul`nikov, P.S. Kop`ev, D. Bimberg, and Zh.I. Alferov. MBE growth of (In,Ga)As self-assembled quantum dots for optoelectronic applications in Devices Based on Low-Dimensional Semiconductor Structures, ed. by M. Balkanski, 14, 91–94 (Kluwer Academic Publishers, NATO ASI Series 3: High Technology,1996).

Научные статьи:

1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев. Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs–GaAs, ФТП, 28(8), 1483–1487 (1994).

2. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maxirnov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, and J. Heydenreich. Low threshold, large T0 injection laser emission from InGaAs quantum dots, Electron. Lett., 30, 1416–1417, 1994.

3. M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Lunev, A.V. Sakharov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, P.S. Kop'ev, L.V. Asryan, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.O. Kosogov and P. Werner. High-power continuous-wave operation of a InGaAs/AlGaAs quantum dot laser, J. Appl. Phys., 83(10), 5561–5563 (1998).

4. M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, and D. Bimberg “GaAs-Based 1.3 µm InGaAs Quantum Dot Lasers: A Status Report” Journal of Electronic Materials 29 (5), 476 – 486 (2000)

5. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka, and C. M. Sotomayor Torres. Carrier relaxation in InGaAs-GaAs quantum dots formed by activated alloy phase separation, Nanotechnology, 11(4), 309–313 (2000).

6. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin and W. Neumann. Tuning quantum dot properties by activated phase separation of an InGa(Al)As alloy grown on InAs stressors, Phys. Rev. B, 62(24), 16671–16680 (2000).

7. M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul’nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, and D. Bimberg. Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by acivated alloy phase separation, IEEE J. Quantum Electron., 37(5), 676–683 (2001).

8. М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. Мощные лазеры на квантовых точках InAs–InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs, ФТП, 38(6), 763–766 (2004).

9. S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I. I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. High power temperature-insensitive 1.3 µm InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers, Semicond. Sci. Technol., 20(5), 340–342 (2005).

10. Н.В .Крыжановская, С.А. Блохин, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг. Лазерная генерация на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре в микродиске с квантовыми точками, ФТП, 40(9), 1128–1132 (2006).

11. S.Blokhin, A.Sakharov, A.Nadtochy, M.Kulagina, Y.Zadiranov, N.Gordeev, M.Maximov, V.Ustinov, N.Ledentsov, E.Stock, T.Warming, D.Bimberg. The impact of thermal effects on emission characteristics of asymmetrical AlGAO-waveguide microdisks based on quantum dots. Applied Physical Letters 2007, vol.91, pp.121108

12. M.V. Maximov, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, A.S. Payusov, V.M. Ustinov, I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev. 1.32 µm quantum dot laser with a 46 cm–1 modal gain, Semicond. Sci. Technol., 23 (10) 105004 (4pp) (2008).

13. M.V.Maximov, Yu.M.Shernyakov, I.I.Novikov, L.Ya.Karachinsky, N.Yu.Gordeev, U.Ben-Ami, D.B.Arbiv, A.Sharon, V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, T.Kettler, K.Posilovic, and D.Bimberg, “High-power low-beam divergence edge-emitting semiconductor lasers with 1- and 2-D photonic bandgap crystal waveguide”, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, v. 14(4), pp. 1113-1122 (2008).

14. S. A. Blokhin, J. A. Lott, A. Mutig, G. Fiol, N. N. Ledentsov, M. V. Maximiv, A. M. Nadtochiy, V. A. Shchukin, and D. Bimberg, Oxide-confined 850 nm VCSELs operating at bit rates up to 40 Gbit/s, Electron. Lett. 45, 501 (2009).

15. N.Yu. Gordeev, I.I. Novikov, A.V. Chunareva, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, A.S. Payusov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.M. Lantratov, V.A. Shchukin, N. N. Ledentsov, «Edge emitting InGaAs/GaAs laser with high temperature stability of wavelength and threshold current», Semiconductor Science and Technology, Vol.25, 4, p.045003 (2010).

16. Е. С. Шаталина, А.С. Паюсов, М. В. Максимов, А.М. Надточий, С.А. Блохин, А.В. Савельев, А.Р. Ковш «Анализ механизмов эмиссии носителей в p-i-n структурах с квантовыми точками In(Ga)As», ФТП, 44 (10), 2010.


Контакты

Телефон: +7-812-297-3182
E-mail: maximov@beam.ioffe.ru