Центр нанотехнологий
Центр высшего образования
Центр общего образования

Информация о сотруднике

Жуков Алексей Евгеньевич


1. Краткое резюме.

Доктор физ.-мат. наук, член-корреспондент РАН, родился 09.02.1968 г. в Ленинграде.

1.1. Образование:

1992 — закончил с отличием факультет электронной техники (кафедра оптоэлектроники) Ленинградского электротехнического института.

1996 — защита кандидатской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств".

2002 — защита докторской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек".

1.2. Основное место работы:

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук»: проректор по учебной работе, заведующий лабораторией Нанофотоники.

Рабочий телефон: +7-812-4488594 , e-mail: zhukov@beam.ioffe.ru

2. Преподавательская деятельность.

2.1.

  • Заведующий кафедрой Фотоники СПбАУ РАН
  • Профессор кафедры “Физика и технология наноструктур” Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого
  • Профессор кафедры “Оптоэлектроника” Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
  • Научный руководитель 2 кандидатских диссертаций, научный консультант 1 докторской диссертации
  • Зам. председателя диссертационного совета ДМ 002.269.01 при СПбАУ РАН
  • Long-term visiting professor at Beijing University of Posts and Telecommunications (Пекин, КНР)

3. Научная деятельность.

3.1. Область научных интересов:

  • полупроводниковые материалы;
  • полупроводниковые наноструктуры (квантовые ямы, квантовые точки);
  • полупроводниковые приборы (включая лазерные диоды, транзисторы с высокой подвижностью электронов);
  • молекулярно-пучковая эпитаксия

3.2. Основные научные достижения: в области эпитаксиального синтеза полупроводниковых квантовых точек, теории и разработки лазеров на основе квантовых точек.

3.3. Награды:

  • лауреат премии им. А.С. Попова Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области электро- и радиотехники, электроники и информационных технологий (2010),
  • лауреатпремии AIXTRON young scientist award (1999, 2005),
  • лауреат премии «Выдающийся молодой ученый России» (1999, 2001),
  • лауреат главной премии издательства the International Academic Publishing Company “Nauka/Interperiodica” за лучший цикл публикаций (2000),
  • лауреат премии журнала IEEE JournalofQuantumElectronics за лучшую публикацию (2001),
  • обладатель гранта «Фонда содействия отечественной науке» (2001, 2002, 2006, 2007),
  • лауреат премии ФТИ им. А.Ф.Иоффе за лучшую работу (2001, 2002, 2003),
  • лауреатпремии Samsung Young Scientist Award (2003),
  • обладатель гранта Президента РФ «молодые доктора наук» (2004, 2007).
  • в 2008 году избран членом-корреспондентом Российской академии наукпо отделению нанотехнологий и информационных технологий.

3.4. Визиты. Длительные визиты с целью совместных научных исследований в Хебейский исследовательский институт полупровдников (Shijiazhuang, Hebei, China, 1998/1999), Университет Калифорнии в Беркли (Berkeley, CA, USA, 2000), Индустриально-технологический исследовательский институт (Taiwan, ROC, 2001, 2004), NL Nanosemiconductor GmbH (Dortmund, Germany, 2005).

5. Патенты.

  • Патент на изобретение RU 2205468 (опубликовано 27.05.2003, заявка 2002118769/28 от 09.07.2002) «Способ изготовления светоизлучающей структуры на квантовых точках и светоизлучающая структура», Устинов В.М., Жуков А.Е., Малеев Н.А., Ковш А.Р.
  • US Patent 7,555,027 of June 30, 2009 “Laser source with broadband spectrum emission” A. Kovsh, A. Zhukov, D. Livshits, I. Krestnikov
  • US Patent 7,561,607 of July 14, 2009 “Laser source with broadband spectrum emission” A. Kovsh, A. Zhukov, D. Livshits, I. Krestnikov
  • US Patent 8,309,461 of November 12, 2012 “Double-sided monolithically integrated optoelectronic module with temperature compensation”, I. Krestnikov, J. Kurb, A. Kovsh, A. Zhukov, D. Livshits, S. Mikhrin
  • Патент на изобретение RU 2543696 (опубликовано 10.03.2015, заявка 2013132525/28 от 12.07.2013) «Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности» Надточий А.М., Максимов М.В., Жуков А.Е., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Минтаиров С.А.
  • Патент на изобретения RU 2558264 (опубликовано 27.07.2015, заявка 2014111646/28 от 26.03.2014) «Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств», Калюжный Н.А., Жуков А.Е., Надточий А.М., Минтаиров С.А., Максимов М.В.

4. Наиболее значимые публикации

Автор более 700 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, индекс Хирша (WebofScience/РИНЦ) 46 / 46, индекс цитирования (РИНЦ) ~ 10’000 Монографии, обзоры :

  • A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, and Zh.I.Alferov, Device characteristics of low-threshold quantum-dot lasers, Int. J. High Speed Electron. Syst. 9(4), 1109-1138 (1998).
  • V.M.Ustinov and A.E.Zhukov, GaAs-based long-wavelength lasers, Semicond. Sci. Technol. 15(8), R41-R54 (2000).
  • A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, and Zh.I.Alferov, Device characteristics of low-threshold quantum-dot lasers, Selected Topics in Electronics and Systems vol.16, Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics (eds. M.Dutta and M.A.Stroscio, World Scientific, Singapore, 2000), pp. 263-292.
  • V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, N.A.Maleev, Quantum dot lasers, Oxford University Press, 2003, Oxford Science Publications, Series on semiconductor science and technology, v. 11.
  • A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, A.R.Kovsh, and N.N.Ledentsov, Long-Wavelength Quantum Dot Lasers (Chapter 1, pp. 1-49), in “Frontiers in Quantum Dots Research” (Editors: Marco L. Voronin), Nova Science Publishers, Hauppauge NY, 2007.
  • А.Е.Жуков, Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур, СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», ISBN 5-7629-0848-9. 2007. 304 с.
  • A.E.Zhukov, A.R.Kovsh, "Quantum dot diode lasers for optical communication systems", Quantum Electronics, 2008, 38 (5), 409-423.
  • А.Е.Жуков, М.В.Максимов, Современные инжекционные лазеры, СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, С-Петербург, 2009, 276 с.
  • A.E.Zhukov, Quantum dot diode lasers, In: “Landolt-Börnstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology - New Series”, Group VIII “Advanced Materials and Technologies”, Part 3 of Volume 1 “Laser Physics and Applications”, Subvolume B “Laser Systems” eds. H. Weber, P. Loosen, R. Poprawe, (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 2011) vol. VIII/1B3, chap. 11.1., pp. 95-131.
  • А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш, Приборные характеристики длинноволновых лазеров на основе самоорганизующихся квантовых точек. Обзор. ФТП 46(10), 1249-1273 (2012).
  • А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Квантовые точки в полупроводниковой электронике, Петербургская-Ленинградская школа электроники. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013, 658 с. (ред. Ж.И.Алферов, В.В.Попов, Ю.А.Быстров, В.А.Клевцов, Р.П.Сейсян, В.П.Цветков), стр. 166-192.
  • Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, "Обзор. Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи", Квант. электроника 44 (3), 189–200 (2014).
  • M.V.Maximov,A.E. Zhukov, Quantum Dot Lasers, In Dekker Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Ed. S.E. Lyshevski, Third Edition. CRCPress: NewYork, 2014, pp. 3986–4000.
  • А. Е. Жуков, Основы физики и технологии полупроводниковых лазеров, СПб.: Изд-во Академического университета, 2016, в печати.

Контакты

Телефон: +7-812-448-85-94
Местный телефон: 5670
E-mail: zhukov@beam.ioffe.ru