Центр нанотехнологий
Центр высшего образования
Центр общего образования

Поиск

RSS-материалНовости Академичecкого университета

20.09.2012

Программа выступлений
Saturday, September 15
Registration (School-Conference) 13:00 – 15:00

Opening remarks 15:00 – 15:15

Chair: Bushuev V.A., Goray L.I. 15:15 – 16:15
Tutorial Lecture 1
Lec-1 High Resolution X-ray Scattering: A General Probe for Very Different Length Scales (invited)
Brian Keith Tanner
Durham University, United Kingdom

Coffee break 16:15 – 16:30

Tutorial Lecture 2 16:30 – 17:30
Lec-2 Reflectivity and Off-Specular Grazing Incidence Scattering from Surfaces: Theory and Applications (invited)
Sunil Kumar Sinha
University of California, San Diego, USA

Coffee break 17:30 – 17:45

Tutorial Lecture 3 17:45 – 18:45
Lec-3 High-resolution x-ray diffractometry (invited)
Vaclav Holy
Charles University in Prague, Czech Republic

Boat trip & Refreshment 19:00 – 23:00

Sunday, September 16
Registration 08:30 – 18:00

Chair: Zolotoyabko E.., Voloshin A. 09:30 – 10:30
Tutorial Lecture 4
Lec-4 Phase contrast imaging with synchrotron radiation (invited)
Jose Baruchel
European Synchrotron Radiation Facility, France

Coffee break 10:30 – 10:45

Tutorial Lecture 5 10:45 – 11:45
Lec-5 X-ray diffraction topography – an evolving tool (invited)
Juergen Walter Haertwig
European Synchrotron Radiation Facility, France
Tutorial Lecture 6 11:45 – 12:45
Lec-6 Hard X-ray optics for Synchrotron Radiation Beamlines (invited)
Raymond Barrett
European Synchrotron Radiation Facility, France

Lunch (School-Conference) 12:45 – 14:00

Opening ceremony 14:00 – 14:45
Chair: Kyutt R.N, Kovalchuk M.V.

14:15 – 14:45
X-ray diffraction – from the Past to the Future
Kovalchuk M.V.
Kurchatov Institute, Shubnikov Institute of Crystallography

Chair: Shulpina I.L., Haertwig J.W. 14:45 – 16:00
Session 1: X-ray topography

14:45-15:00
Three-dimensional rocking curve imaging (3D-RCI) to measure the effective distortion in the neighbourhood of a defect within a crystal: the example of ice
O1-01 Philip A., Meyssonnier J., Kluender R.T. and Baruchel J.
LGGE, UJF-CNRS UMR 5183, St. Martin d’Hères, France; European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, France

15:00-15:15
X-ray Diffraction Imaging for Prediction of the Propagation Probability of Individual Cracks in Brittle Single Crystal Materials
O1-02 Tanner B.K., Danilewsky A.N., Wittge J., Garagorri J., Elizalde M.R., Allen D., McNally P., Fossati M.C. and Jacques D.
Dept. of Physics, Durham University, UK; Kristallographie, Institut für Geowissenschaften, Universität Freiburg, Germany; CEIT and Tecnun (University of Navarra) San Sebastian, Spain; School of Electronic Engineering, Dublin City University, Ireland; Jordan Valley Semiconductors Ltd, Durham, UK

15:15-15:30
Cleavage, Microcrack Formation and Fracture in Silicon: In-situ X-ray Diffraction Imaging at High Temperature
O1-03 Danilewsky A.N., Wittge J., Ehlers Ch., Jauss T., Kiefl K., Croll A., Allen D. McNally P., Garagorri J., Elizalde M.R., Fossati M.C. and Tanner B.K.
Kristallographie, Institut für Geowissenschaften, Universität Freiburg, Germany; School of Electronic Engineering, Dublin City University, Ireland; CEIT and Tecnun (University of Navarra) San Sebastian, Spain; Dept. of Physics, Durham University, UK
Diffraction laminography applied to 3-dimensional imaging of dislocation networks in silicon wafers
Haenschke, D., Helfen, L., Altapova, V., Moosmann, J., Hamann, E., Wittge, J., Danilewsky, A.N., Baumbach, T.
Karlsruhe Institute of Technology, Germany; Institute for Synchrotron Radiation ANKA, Germany; University Freiburg, Germany

Coffee break 16:00 – 16:15

Chair: Podurets K.M. 16:15 – 17:00
Session 2: Fast tomography

16:15-16:30
O2-01 X-ray microtomography in the study of organic and inorganic materials
Asadchikov V.E. ,Yakimchuk I.V., Buzmkov A.V., Zolotov D.A.
Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Moscow, Russia; Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

16:30-16:45
O2-02 Development of microtomographic in vivo imaging to study lung dynamics at the micrometer scale
Lovric G., Mokso R., Schittny J.C., Roth-Kleiner M., Stampanoni M.
Swiss Light Source, Paul Scherrer Institute, Switzerland; Institute for Biomedical Engineering, ETH Zurich, Switzerland; Institute of Anatomy, University of Bern, Switzerland; Centre Hospitalier Universitaire Vaudois, University of Lausanne, Switzerland

16:45-17:00
O2-03 Effective Regularized Algebraic Reconstruction Technique for Computed Tomography
Prun V.E., Nikolaev D.P., Chukalina M.V., Buzmakov A.V., Asadchikov V.E.
Moscow Institute of Physics and Technology, Russia; Institute for Information Transmission Problems (Kharkevich Institute) RAS, Moscow, Russia; Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RAS, Chernogolovka, Russia; Shubnikov Institute of Crystallography RAS, Moscow, Russia

29.08.2012


1. Этапы развития физики в первой половине ХХ века
2. Рождение новой физики. Рентгеновские лучи Конрад В. Рёнтген. Макс фон Лауэ
3. Радиоактивность Анри Беккерель. Мария и Пьер Кюри
4. Квантовая теория вещества Макс Планк
5. Фотоэффект. Теория относительности Альберт Эйнштейн
6. Копенгагенская школа квантовой механики Нильс Бор
7. Учёные и учителя физиков ХХ века Арнольд Зоммерфельд. Макс Борн
8. Знаменитые ученики выдающихся физиков ХХ века Вольфганг Паули. Вернер Гейзенберг
9. Волны материи Луи де Бройль Волновая квантовая механика Эрвин Шрёдингер. Поль Дирак
10. Искусственная радиоактивность. Синтез новых радиоактивных элементов Ирен и Фредерик Жолио-Кюри
11. Искусственная радиоактивность. Облучение нейтронами Энрико Ферми
12. Ядерный штурм Отто Ган, Лизе Мейтнер, Роберт Оппенгеймер, И.В. Курчатов

15.06.2012

15 июня 2012 Академический университет принимал рабочую встречу участников инициативы International Research Staff Exchange Scheme (IRSES). Инициатива реализуется в рамках программы Агенства по управлению научными исследованиями Еврокомиссии - Marie Curie Actions. Программа призвана повышать уровень научной мобильности через распределение грантов на стажировки сотрудников научных организаций.

Наш университет посетили еврокомиссары Оливье Данон (Olivier Danon, на фото слева) и Франк Маркс (Frank Marx).

Сотрудники Академического университета - Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский и М. А. Калитиевский - представили научные проекты, над которыми ведется работа с коллегами из Великобритании, Испании, Германии и других стран. Ученые рассказали, что благодаря обмену опытом и использованию технической базы принимающих университетов, им удалось сделать ряд перспективных открытий в области физики наноструктур.
Представители Еврокомиссии высоко оценили результаты работы над проектами и поблагодарили Академический университет за организацию мероприятия.


Участники рабочей встречи
18.06.2012

Вручение диплома Почётного доктора Академического университета академику Александру Юрьевичу Румянцеву
Лекция Почётного доктора

24.05.2012

22 мая 2012 года Президент РФ Владимир Путин принял участие в ежегодном общем собрании Российской академии наук, на котором подведены итоги деятельности Академии в 2011 году и изложил своё видение перспектив развития отечественной науки с учётом задач, стоящих перед обществом и государством. Президент также затронул вопросы финансирования научной деятельности, укрепления материально-технической базы академии и социального положения учёных.

"Нам следует в полной мере задействовать мощный образовательный, наставнический потенциал российских учёных, увеличить количество базовых кафедр, развивать систему научно-образовательных центров, работающих в институтах Академии наук. И я очень прошу обратить внимание на это направление, считаю его важным. Тем более что уже есть успешный опыт партнёрства науки и образования. В качестве примеров приведу Московский государственный университет, Академический университет в Санкт-Петербурге, Математический институт имени Стеклова"

Ссылка на источник


05.05.2012

Кафедра иностранных языков:
• доцент;
• ст. преподаватель.
Кафедра физики и технологии наногетероструктур
• профессор;
• доцент.
Кафедра математических и информационных технологий:
• профессор;
• доцент;
• преподаватель.
Кафедра астрофизики:
• доцент.
Кафедра теоретической физики:
• профессор;
• доцент;
• преподаватель.
Кафедра философии:
• профессор;
Кафедра физики конденсированного состояния
• профессор;
• доцент.
Кафедра нанобиотехнологий:
• профессор;
• доцент.
Лаборатория нанобиотехнологий:
• зав. лабораторией;
• главный научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• младший научный сотрудник;
• научный сотрудник.
Лаборатория наноэлектроники:
• главный научный сотрудник;
• ведущий научный сотрудник;
• старший научный;
• научный сотрудник;
• младший научный сотрудник.
Лаборатория нанофотоники:
• зав. лабораторией;
• ведущий научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник;
• младший научный сотрудник.
Лаборатория физики наноструктур:
• зав. лабораторией;
• главный научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник;
• младший научный сотрудник.
Лаборатория эпитаксиальных нанотехнологий:
• зав. лабораторией;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник.
Лаборатория возобновляемых источников энергии:
• ведущий научный сотрудник;
• старший научный сотрудник;
• научный сотрудник.

Необходимые документы для участия:
1. Заявление
2. личный листок по учету кадров;
3. автобиография;
4. копии документов о высшем профессиональном образовании;
5. копии дипломов о присуждении ученой степени, присвоении ученого звания (при наличии);
6. сведения о научной (научно-организационной, педагогической) работе за последние пять лет, предшествовавших дате проведения конкурса, включающие
• список научных трудов претендента по разделам;
• публикации в рецензируемых журналах;
• монографии и главы в монографиях;
• статьи в научных сборниках и периодических научных изданиях;
• публикации в материалах научных мероприятий;
• патенты;
• публикации в зарегистрированных научных электронных изданиях;
• препринты;
• научно-популярные книги и статьи;
• другие публикации по вопросам профессиональной деятельности.
o список грантов, контрактов, договоров, в выполнении которых участвовал претендент, с указанием его конкретной роли;
o Сведения о личном участии претендента в научных мероприятиях (съездах, конференциях, симпозиумах и пр.) с указанием статуса представленного доклада (приглашенный, пленарный, секционный, стендовый) и уровня мероприятия (международное, всероссийское, региональное).
o Сведения об участии претендента в подготовке и проведении научных мероприятий.
o Сведения о педагогической деятельности претендента (чтение курсов лекций, проведение семинаров, научное руководство аспирантами и консультирование докторантов, другие виды педагогической деятельности).
o Сведения о премиях и наградах за научную и педагогическую деятельность.
o Сведения об участии претендента в редакционных коллегиях научных журналов.
В конкурсную комиссию может представляться также отзыв об исполнении претендентом должностных обязанностей с последнего места работы, подписанный уполномоченным работодателем должностным лицом. Отзыв должен содержать мотивированную оценку профессиональных, деловых и личностных качеств претендента, а также результатов его профессиональной деятельности.
Заявления и дополнительные документы отправлять ученому секретарю по адресу: 194021,Санкт-Петербург, ул. Хлопина д.8, корп.3. тел. 448-69-80 (доб.56-39)
Срок подачи заявлений - один месяц со дня публикации

05.05.2012

I. Общие положения

1.1 Настоящее Положение разработано с учетом Положения о порядке проведения конкурса на замещение должностей научных работников и руководителей научных учреждений и научных работников научных центров, подведомственных Российской академии наук, утвержденного приказом Минобрнауки России, Минздравсоцразвития России, РАН, от 23 мая 2007 г. № 145/353/34 и с учетом Положения о порядке замещения должностей научно-педагогических работников в высшем учебном заведении Российской Федерации, утвержденного приказом Министерства образования Российской Федерации от 26.11.2002 года № 4114.
1.2 Ректор, ученый секретарь, проректор по научной работе, декан факультета и заведующий кафедрой избираются в соответствии с законодательством Российской Федерации и в порядке, предусмотренном Уставом Академического университета, и иными правовыми актами, принимаемыми в соответствии с Уставом Российской академии наук.
1.3 Конкурс не проводится при назначении с испытательным сроком выпускников высших учебных заведений, получивших опыт работы в период обучения, и лиц, окончивших в год назначения аспирантуру, на должности младшего научного сотрудника, стажера-исследователя, старшего лаборанта с высшим профессиональным образованием, инженера-исследователя.
1.4 Конкурс не проводится на замещение должностей декана факультета и заведующего кафедрой, должностей научно-педагогических работников, занимаемых беременными женщинами, должностей научно-педагогических работников, занимаемых по трудовому договору, заключенному на неопределенный срок, женщинами имеющими детей в возрасте до трех лет.
1.5 К участию в конкурсе на замещение должности научного работника допускаются лица, удовлетворяющие квалификационным характеристикам, предъявляемым для замещения соответствующей должности в соответствии с единым квалификационным справочником.
1.6 Положение в части профессорско-преподавательского состава распространяется на профессоров, доцентов, старших преподавателей, преподавателей и ассистентов Академического университета.
1.7 Положение в части научного состава распространяется на научных работников (руководитель научно-исследовательского, научного сектора, отдела, лаборатории, другого научного подразделения, главный научный сотрудник, ведущий научный сотрудник, старший научный сотрудник, научный сотрудник, младший научный сотрудник) научного подразделения, Академического университета.

25.04.2012

Прием в аспирантуру (очное или заочное обучение) по лицензированным
научным специальностям (лицензия Федеральной службы по надзору в сфере
образования и науки от 05 марта 2012г. серия ААА №002650):

01.04.10 - физика полупроводников,
01.04.07 - физика конденсированного состояния,
01.03.02 - астрофизика и звездная астрономия,
01.04.01 - приборы и методы экспериментальной физики ,
01.04.16 - физика атомного ядра и элементарных частиц,
09.00ю08 - философия науки и техники

Для поступления в аспирантуру необходимо подать заявление на имя
ректора университета, представить паспорт, диплом о высшем
профессиональном образовании, пройти собеседование с предполагаемым
научным руководителем и сдать вступительные экзамены по специальной
дисциплине, иностранному языку и философии.

Прием документов осуществляется до 18 мая 2012г. в каб. 438, т.
448-85-94 (отдел аспирантуры).

Вступительные экзамены планируются в период с 28.05 по 20.06.2012г.
Зачисление в аспирантуру проводится с 1 июля 2012г.

25.04.2012

24 мая 2012г. в 11 часов пройдет годовая аттестация аспирантов.
Отдел аспирантуры, каб. 438, т.448-85-94.